[发明专利]用于3D集成电路层叠的层间通信有效
申请号: | 201180073771.8 | 申请日: | 2011-09-30 |
公开(公告)号: | CN103828046B | 公开(公告)日: | 2018-05-22 |
发明(设计)人: | G.德罗伊格;N.林科维特施;A.沙伊弗 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L21/768 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 蒋骏;马永利 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 集成电路 层叠 通信 | ||
1.一种三维集成电路,包括:
两个或更多的层叠管芯层,具有面向相同方向的有源表面;
至少一个互连,穿过所述两个或更多的层叠管芯层且具有相关联的互连电容;以及
在所述管芯层中的至少一个层上的至少一个接收器以及在所述管芯层中的至少一个层上的至少一个发射器,其中,所述至少一个发射器通过耦合电容器连接到所述互连,所述至少一个发射器和接收器经由AC耦合通过所述互连耦合至彼此,其中,所述至少一个接收器包括反馈保持器电路;
并且其中所述耦合电容器具有的电容小于所述相关联的互连电容。
2.权利要求1所述的电路,其中,所述接收器是差分接收器。
3.权利要求1所述的电路,其中,所述至少一个互连包括硅通孔。
4.权利要求1所述的电路,其中,所述至少一个互连包括分段连接的硅通孔。
5.权利要求1所述的电路,其中,所述耦合电容器由同轴地设置在所述至少一个互连周围的导电片形成。
6.权利要求1所述的电路,包括在不使用耦合电容器的情况下直接耦合至所述互连的至少一个接收器。
7.权利要求1所述的电路,包括直接耦合至所述互连的至少一个发射器。
8.权利要求1所述的电路,其中,所述两个或更多的管芯层包括核心逻辑层和一个或多个存储器层,其要求通过耦合电容器来彼此隔离的不同的DC偏置电平。
9.一种三维集成电路,包括:
至少两个集成电路(IC)层,包括不同技术的核心逻辑层和一个或多个存储器层;以及总线,用来将所述至少两个集成电路层通信地链接到彼此,所述总线包括通过所述至少两个集成电路层连接的并且具有相关联的互连电容的一个或多个互连,其中,每一个集成电路层包括通过耦合电容器耦合至所述互连的至少一个总线接口,
其中所述总线接口包括通过所述耦合电容器耦合至所述互连的发射器和接收器,并且至少一个接收器包括反馈保持器电路;
并且其中,所述耦合电容器具有的电容小于所述相关联的互连电容,其中,由所述接收器看到的AC信号摆动是从由相关联的发射器发射的摆动电平向下降低的。
10.权利要求9所述的电路,其中,用于至少两个集成电路层的总线接口在不同的DC电平处偏置。
11.权利要求9所述的电路,其中,所述耦合电容器用管芯上金属电容来实现。
12.权利要求9所述的电路,其中,所述耦合电容器用MIM电容器来实现。
13.权利要求9所述的电路,其中,所述耦合电容器用使用两个邻近的TSV实现的电容器来实现。
14.权利要求9所述的电路,其中,所述耦合电容器用在再分布层中实现的电容器来实现。
15.权利要求9所述的电路,其中,所述耦合电容器用与TSV同轴地设置的电极来实现。
16.权利要求9所述的电路,其中,所述耦合电容器被实现为管芯间电容器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的