[发明专利]用于存储数据的设备和用于读取存储单元的方法有效
申请号: | 201180074045.8 | 申请日: | 2011-09-02 |
公开(公告)号: | CN103858168A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 赛厄马克·塔瓦莱伊 | 申请(专利权)人: | 惠普发展公司;有限责任合伙企业 |
主分类号: | G11C7/22 | 分类号: | G11C7/22;G11C7/10 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 郭艳芳;康泉 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 存储 数据 设备 读取 单元 方法 | ||
1.一种用于读取存储单元的方法,包括:
在所述存储单元的读周期期间,在所述存储单元上施加电流,来读取所述存储单元的内容;并且
在所述存储单元的后续读周期期间,沿与所述电流相反的方向在所述存储单元上施加后续电流,来读取所述存储单元的所述内容。
2.根据权利要求1所述的方法,其中:
施加所述电流将所述存储单元中掺杂剂的第一分布改变成所述掺杂剂的第二分布,所述掺杂剂的所述第一分布和第二分布表示相同的存储信息;并且
施加所述后续电流将显示所述掺杂剂的所述第一分布。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述掺杂剂的所述第一分布和第二分布位于阈值之上,以表示相同的存储信息。
4.根据权利要求2所述的方法,进一步包括:在所述读周期之前出现的写周期期间,在所述存储单元上施加第三电流,以显示所述存储单元中所述掺杂剂的所述第一分布。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述存储单元是忆阻存储单元。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述电流和所述后续电流是直流。
7.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:在所述读周期与所述后续读周期之间执行所述存储单元的至少一个介于中间的读周期。
8.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:在接收所述后续读周期内的请求之前,改变电流配置,以沿与所述电流相反的方向在所述存储单元上施加所述后续电流。
9.一种用于存储数据的设备,包括:
存储单元;和
电路,用于:
在具有处于第一分布的掺杂剂的所述存储单元的读周期期间,通过在所述存储单元上施加电流以将所述掺杂剂的所述第一分布改变成第二分布,来读取所述存储单元的内容,所述掺杂剂的所述第一分布和第二分布表示相同的存储信息;并且
在所述存储单元的后续读周期期间,通过在所述存储单元上施加后续电流以将所述掺杂剂的所述第二分布改变成所述掺杂剂的所述第一分布,来读取所述存储单元的所述内容。
10.根据权利要求9所述的设备,其中所述掺杂剂的所述第一分布和第二分布位于阈值之上,以表示相同的存储信息。
11.根据权利要求9所述的设备,其中所述电路用于在所述读周期之前的写周期期间,在所述存储单元上施加第三电流,以产生所述存储单元中所述掺杂剂的所述第一分布。
12.根据权利要求9所述的设备,其中所述存储单元是忆阻存储单元。
13.根据权利要求9所述的设备,其中所述电路用于沿与所述电流相反的方向施加所述后续电流。
14.根据权利要求9所述的设备,其中所述电流和所述后续电流是直流。
15.根据权利要求9所述的设备,其中所述电路用于在所述读周期与所述后续读周期之间执行所述存储单元的至少一个介于中间的读周期。
16.根据权利要求9所述的设备,其中所述电路用于在接收所述后续读周期内的请求之前,改变电流配置,以沿与所述电流相反的方向在所述存储单元上施加所述后续电流。
17.根据权利要求9所述的设备,其中所述电路在模具上与所述存储单元并置。
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