[发明专利]用于借助高压放电击碎和/或预弱化材料的方法有效
申请号: | 201180074118.3 | 申请日: | 2011-10-10 |
公开(公告)号: | CN103857471A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | H·阿尔奎斯特让纳雷;R·米勒-西伯特;H·费肯豪尔;A·维;F·蒙提迪索普拉;P·霍佩;J·辛格;H·吉泽;K·莱贝尔 | 申请(专利权)人: | 泽尔弗拉格股份公司 |
主分类号: | B02C19/18 | 分类号: | B02C19/18 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 俞海舟 |
地址: | 瑞士凯*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 借助 高压 放电 击碎 弱化 材料 方法 | ||
1.用于借助高压放电击碎和/或预弱化材料(1)、尤其是岩石材料(1)或矿石的方法,包括以下步骤:
a)提供工艺空间(2),其具有一个高压放电路径,所述高压放电路径形成于两个以电极间距相对置的电极(3、4)之间;
b)将待击碎和/或预弱化的材料(1)和工艺液体(5)送入工艺空间(2)中,使得在设置的击碎和/或预弱化运行时两个电极之间的区域被填充待击碎和/或预弱化的材料(1)和工艺液体(5),
c)在工艺空间(2)中通过在两个电极(3、4)之间产生的高压放电击碎和/或预弱化材料(1),
其中,在击碎和/或预弱化材料(1)期间从工艺空间(2)中排出工艺液体(5)并且将工艺液体(5)输入工艺空间(2)中,并且输入的工艺液体(5)与排出的工艺液体(5)相比具有较小的电导率。
2.根据权利要求1的方法,其中,输入的工艺液体(5)的电导率在0.2微西门子每厘米和5000微西门子每厘米的范围内。
3.根据上述权利要求之一的方法,其中,所述工艺液体(5)的输入和排出同时进行。
4.根据上述权利要求之一的方法,其中,输入和排出的工艺液体体积基本上相同。
5.根据上述权利要求之一的方法,其中,所述工艺液体(5)的输入和/或排出连续或间断地进行。
6.根据上述权利要求之一的方法,其中,排出的工艺液体(5)经受一个处理步骤,在该处理步骤中工艺液体的电导率被降低并且之后完全或部分重新被输入工艺空间(2)中。
7.根据权利要求6的方法,其中,所述工艺液体(5)通过去除离子、通过以电导率较低的工艺液体稀释、通过去除细料、通过改变其pH值和/或通过添加配位剂来处理。
8.根据权利要求6至7之一的方法,其中,所述工艺空间(2)为了形成工艺液体回路与用于降低工艺液体(5)电导率的工艺液体处理设备的入口和出口连接,并且工艺液体(5)在该回路中循环,其方式为,在工艺空间(2)的第一位置上工艺液体(5)被排出工艺空间(2)并被输入到工艺液体处理设备中,在该工艺液体处理设备中工艺液体的电导率被降低并且之后完全或部分在工艺空间(2)的第二位置上重新被导回工艺空间(2)中。
9.根据上述权利要求之一的方法,其中,这样输入工艺液体(5),使得工艺液体(5)被有针对性地送入两个电极(3、4)之间的反应区(R)中。
10.根据上述权利要求之一的方法,其中,这样输入和排出工艺液体(5),使得输入的工艺液体(5)尤其是从上向下或从下向上或在从反应区(R)中心径向向外的方向上穿流两个电极(3、4)之间的反应区。
11.根据上述权利要求之一的方法,其中,通过所述电极(3、4)之一或通过两个电极(3、4)输入工艺液体(5)。
12.根据权利要求11的方法,其中,通过一个或多个设置在相应电极(3)端面上的输入口(6、9、10、11)、尤其是通过一个中心输入口和/或通过多个围绕电极中心同心设置的输入口输入工艺液体(5)。
13.根据权利要求11至12之一的方法,其中,使用一个或两个棒状电极(3)并且通过一个或多个设置在相应电极(3)圆周上的输入口(6、9、10、11)、尤其是通过多个均匀分布于电极圆周上的输入口输入工艺液体(5)。
14.根据权利要求12至13之一的方法,其中,通过相应电极(3)中的一个中心输入孔(7)向输入口(6、9、10、11)输入工艺液体(5)。
15.根据上述权利要求之一的方法,其中,使用一个或两个由绝缘体(8)包围的电极(3)并且通过一个或两个电极(3)的绝缘体(8)输入工艺液体(5)。
16.根据权利要求15的方法,其中,通过一个或多个设置在相应绝缘体(8)端面上的输入口(6、9、10、11)、尤其是通过多个在相应绝缘体(8)上围绕电极中心同心设置的输入口(6、9、10、11)输入工艺液体(5)。
17.根据上述权利要求之一的方法,其中,通过输入喷嘴(9)的一种布置输入工艺液体(5),这些输入喷嘴同心环绕相应电极(3、4)或其绝缘体(8)。
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