[发明专利]DRAM安全擦除

权利要求书

1.一种擦除存储在动态随机存取存储器(DRAM)阵列中的数据的方法，包括：

(a)将所述DRAM阵列的字线设置为激活状态，从而使得电荷根据存储在存储器单元中的所述数据在联接至所述字线和各个位线的所述存储器单元之间流动，其中根据联接至所述字线和所述各个位线的所述存储器单元之间的所述电荷的流动在所述各个位线上形成信号；

(b)在保持连接至所述各个位线的读出放大器处于所述读出放大器不将所述信号放大至可存储信号电平的退激活状态时，将所述字线设置为退激活状态以使不足的电荷保留在与所述字线联接的所述存储器单元中，从而擦除存储在与所述字线联接的所述存储器单元中的所述数据；以及

(c)使用所述存储器阵列的所选范围的每个其余的字线重复步骤(a)和步骤(b)以擦除存储在所述所选范围中的所述数据。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(c)中的所述所选范围是所述整个存储器阵列，以擦除存储在所述整个存储器阵列中的所述数据。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(c)中的所述所选范围小于所述整个存储器阵列。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤(a)包括使用地址计数器选择所述字线。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述地址计数器是刷新地址计数器。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在步骤(a)之前将所述位线预充至第一电压电平。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一电压电平是高信号电压电平和低信号电压电平之间的中间电平，在所述高信号电压电平和所述低信号电压电平，分别将“1”和“0”存储在联接至所述字线的所述存储器单元中。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，预充所述位线的步骤通过将连接至所述位线的预充装置设置为激活状态来进行，所述方法进一步包括在保持所述读出放大器处于退激活状态的期间保持连接至所述位线的预充装置处于退激活状态。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述数据存储元件包括电容器。

10.一种擦除存储在动态随机存取存储器(DRAM)阵列中的数据的方法，包括：

(a)在保持联接至所述DRAM阵列的位线的预充装置处于将所述位线保持在一个或多个预定电压电平的激活状态时，将所述DRAM阵列的字线设置为激活状态，以使联接至所述字线的存储器单元中的电压充电至所述一个或多个预定电压电平，而不管存储在所述存储器单元中的所述数据；

(b)在保持连接至所述位线的读出放大器处于退激活状态时，将所述字线设置为退激活状态以使所述存储器单元根据所述一个或多个预设电压电平存储电荷，由此擦除存储在所述存储器单元中的所述数据；以及

(c)使用所述存储器阵列的所选范围的每个其余的字线重复步骤(a)和步骤(b)以擦除存储在所述所选范围中的所述数据。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，步骤(c)中的所述所选范围是所述整个存储器阵列，以擦除存储在所述整个存储器阵列中的所述数据。

12.根据权利要求10所述的方法，其中步骤(c)中的所述所选范围小于所述整个存储器阵列。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，步骤(a)包括使用地址计数器选择所述字线。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述地址计数器是刷新地址计数器。

15.根据权利要求10所述的方法，其中，所述一个或多个预定电压电平为电源电压电平。

16.根据权利要求10所述的方法，其中，所述一个或多个预定电压电平是参考电压电平。

17.根据权利要求10所述的方法，其中，所述一个或多个预定电压电平对应于近似等于所述电源电压电平与所述参考电压电平的平均值的中间电平。

18.根据权利要求10所述的方法，其中，保持联接至所述DRAM阵列的位线的预充装置处于所述位线保持在一个或多个预定电压电平的激活状态的步骤包括：在所述步骤期间保持一些所述位线处于第一预定电压电平，并且在所述步骤期间保持其他所述位线处于与所述第一预定电压电平不同的第二预定电压电平。