[发明专利]包括功率晶体管的电子控制电路和监控功率晶体管的使用寿命的方法

权利要求书

1.一种电气设备的电子控制电路(1)，尤其是设计为EC电机(M)的整流电子系统(2)，其具有多个在工作模式下被控制用来控制所述设备的功率晶体管(T1-T6)，

其特征在于一个附加的、类似的参考晶体管(T_test)，所述参考晶体管(T_test)在所述功率晶体管(T1-T6)的工作模式下是不带电的，并和所述功率晶体管(T1-T6)一起被设置或形成在一个共用的支撑物或基底上，在测试模式下分别向所述参考晶体管(T_test)和至少一个所述功率晶体管(T1-T6)施加测试电流的装置，测量各个关联的饱和电压(U_CE sat)的装置，以及估计由测量的参考晶体管(T_test)和各个功率晶体管(T1-T6)的饱和电压(U_CE sat)产生的饱和电压差的装置，其考虑测量期间的支撑物/基底的主要温度，作为所述功率晶体管(T1-T6)的老化过程和预期剩余使用寿命的判据。

2.根据权利要求1所述的控制电路，

其特征在于提供了附加装置，用于估计在各个连续的测试模式的每一个中记录的饱和电压差的变化率。

3.根据权利要求1或2所述的控制电路，

其特征在于电子控制单元(6)，用于触发和执行各个测试模式。

4.根据权利要求1-3中任何一项所述的控制电路，

其特征在于所述各个功率晶体管(T1-T6)和所述参考晶体管(T_test)可被连接到恒定电流源(10)以为其提供测试电流，或者经由电阻(R)被连接到DC电压中间电路(ZK)。

5.根据权利要求1-4中任何一项所述的控制电路，

其特征在于可以经由整流器(12)为所述晶体管(T1-T6，T_test)单独地且连续地提供测试电流。

6.根据权利要求1-4中任何一项所述的控制电路，

其特征在于可以经由多路开关(14)为所述晶体管(T1-T6，T_test)同时地提供各个测试电流。

7.根据权利要求1-6中任何一项所述的控制电路，

其特征在于存储装置，用于存储饱和电压差的某些经验值，并且最好存储所述饱和电压差的变化率，将它们分配给所述功率晶体管(T1-T6)的老化过程的某些阶段，并考虑所述支撑物/基底的温度。

8.根据权利要求1-7中任何一项所述的控制电路，

其特征在于显示剩余的使用寿命和/或产生关于至少一个所述功率晶体管(T1-T6)的即将失效的警告信号。

9.根据权利要求1-7中任何一项所述的控制电路，

其特征在于四个或六个功率晶体管(T1-T6)被布置为成对的串联在桥式电路的各个桥支路上，所述各个桥支路互相平行，在所述/每一个测试模式下测量每一条桥支路上的两个功率晶体管(T4-T6)中的至少一个的饱和电压，尤其是仅仅测量每一条桥支路上的所谓的低侧晶体管的饱和电压，所述饱和电压包含在所述估计中。

10.一种监控电气设备的电子控制电路的功率晶体管(T1-T6)的预期剩余使用寿命的方法，尤其是EC电机(M)的整流电子系统(2)，

其中，在控制电路(1)的测试模式下测量至少一个功率晶体管(T1-T6)的饱和电压(U_CE)，将所述饱和电压(U_CE)与一个附加的、类似的参考晶体管(T_test)的饱和电压(U_CE test)进行比较，所述参考晶体管在所述控制电路(1)的工作模式下是不带电的，并和所述功率晶体管(T1-T6)一起被设置或形成在一个共用的支撑物或基底上，在相同的条件下对所述参考晶体管进行同样地测量，其中，估计结果饱和电压差，考虑测量期间的支撑物/基底的主要温度来作为所述功率晶体管(T1-T6)的老化过程的进展和预期剩余使用寿命的判据。

11.根据权利要求10所述的方法，

其中，还记录了在各个连续执行的测试模式下的饱和电压差的变化率，所述变化率被估计作为剩余使用寿命的判据。