[发明专利]非平面晶体管的源极/漏极触点在审
申请号: | 201180074516.5 | 申请日: | 2011-10-01 |
公开(公告)号: | CN103918083A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | S·S·普拉丹;S·M·乔希;J-S·全 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L21/336 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 韩宏;陈松涛 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平面 晶体管 触点 | ||
1.一种微电子设备,包括:
含硅源极/漏极区;
与所述含硅源极/漏极区相邻的源极/漏极触点,其中所述源极/漏极触点包括导电接触材料以及设置在导电接触材料和所述含硅源极/漏极区之间的含钛接触界面层;以及
硅化钛界面,其设置在所述含硅源极/漏极区和所述含钛接触界面层之间。
2.如权利要求1所述的微电子设备,其中所述含钛接触界面层包括基本上纯的钛。
3.如权利要求1所述的微电子设备,其中所述导电接触材料包括钨。
4.如权利要求1所述的微电子设备,其中所述硅化钛界面基本上只存在于所述含硅源极/漏极区和所述含钛接触界面层之间。
5.一种微电子设备,包括:
在非平面晶体管鳍片之上的非平面晶体管栅极,其中所述非平面晶体管栅极包括在栅极隔板之间凹进的栅极电极和在所述栅极隔板之间的所凹进的栅极电极上设置的覆盖结构,
含硅源极/漏极区;
在所述源极/漏极区、所述非平面晶体管栅极隔板和所述覆盖结构之上的至少一个介电材料层;
源极/漏极触点,其延伸穿过所述至少一个介电材料层的一部分,并包括导电接触材料以及设置在导电接触材料和所述含硅源极/漏极区之间的含钛接触界面层;以及
设置在所述含硅源极/漏极区和所述含钛接触界面层之间的硅化钛界面。
6.如权利要求5所述的微电子设备,其中所述含钛接触界面层包括基本上纯的钛。
7.如权利要求5所述的微电子设备,其中所述导电接触材料包括钨。
8.如权利要求5所述的微电子设备,其中所述硅化钛界面基本上只存在于所述含硅源极/漏极区和所述含钛接触界面层之间。
9.如权利要求5所述的微电子设备,其中所述含钛接触界面层邻接一个非平面晶体管栅极隔板的至少一部分。
10.如权利要求9所述的微电子设备,其中所述含钛接触界面层邻接所述覆盖结构的至少一部分。
11.一种制造微电子设备的方法,包括:
形成含硅源极/漏极区;
在所述含硅源极/漏极区之上形成介电材料;
形成穿过所述介电材料的接触开口,以暴露出所述源极/漏极区的一部分;
将含钛接触界面层共形地沉积在所述接触开口内,以邻接所述含硅源极/漏极区;
将导电接触材料沉积在所述接触开口内,以邻接所述含钛接触界面层;以及
在所述含硅源极/漏极区和所述含钛接触界面层之间形成硅化钛界面。
12.如权利要求11所述的方法,其中共形地沉积所述含钛接触界面层包括:沉积基本上纯钛的接触界面层。
13.如权利要求11所述的方法,其中将导电接触材料沉积在所述接触开口内包括:将钨沉积在所述接触开口内。
14.如权利要求11所述的方法,其中在所述含硅源极/漏极区和所述含钛接触界面层之间形成所述硅化钛界面包括:通过加热所述含硅源极/漏极区和所述含钛接触界面层来在所述含硅源极/漏极区和所述含钛接触界面层之间形成所述硅化钛界面。
15.如权利要求11所述的方法,其中形成所述硅化钛界面包括:基本上只在所述含硅源极/漏极区和所述含钛接触界面层之间形成硅化钛。
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