[发明专利]非易失性存储器损耗管理有效

专利信息
申请号: 201180074632.7 申请日: 2011-11-04
公开(公告)号: CN104011689B 公开(公告)日: 2017-12-15
发明(设计)人: R·W·发伯 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G06F12/00 分类号: G06F12/00;G06F13/14
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 杨美灵,汤春龙
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 非易失性存储器 损耗 管理
【说明书】:

技术领域

本公开的实施例一般地涉及存储器管理领域,并且更具体地,涉及非易失性存储器中的损耗管理。

背景技术

损耗均衡是一种用于防止非易失性存储器特定区域过度循环的存储器管理技术。损耗均衡通常包括在存储器访问中使用的逻辑至物理地址映射中被引用的在动态随机存取存储器(DRAM)中的大间接寻址表(indirection table)的建立和维护。尽管这种类型的存储器管理可以有效地防止过度循环,其也需要相当大的固件复杂性。

发明内容

在一个实施例中,公开了用于存储器损耗管理的装置。装置包括:非易失性存储器阵列;以及与所述非易失性存储器阵列耦合的存储器控制器。所述存储器控制器被配置用来:从主机接收存储器访问请求,所述存储器访问请求被指向所述非易失性存储器阵列的存储单元;访问在所述存储单元中的元数据,所述元数据包括与所述存储单元有关的状态信息;以及基于所述状态信息确定是否关于所述存储单元执行所述存储器访问请求的存储器访问。

在另一实施例中,公开了用于存储器损耗管理的方法。方法包括以下操作:确定非易失性存储器阵列的存储单元的循环计数超出预定的阈值;以及在存储单元处存储的元数据中写入指示所述存储单元的代理状态的状态信息以及指针,所述指针提供对所述非易失性存储器阵列的代理存储单元的引用,所述写基于所述确定所述循环计数超出所述预定的阈值。

在又一实施例中,公开了用于存储器损耗管理的系统。系统包括:非易失性存储器阵列;被配置用来发出包括逻辑地址和访问命令的存储器访问请求的主机;与所述主机和所述非易失性存储器阵列耦合的存储器控制器。所述存储器控制器被配置用来:映射所述逻辑地址至所述非易失性存储器阵列的第一存储单元的物理地址;访问存储在所述第一存储单元的元数据;以及基于所述元数据,确定是否关于所述第一存储单元执行所述访问命令。

附图说明

结合附图通过以下详细描述,实施例将容易理解。为了便于这种描述,类似的附图标记代表类似的结构元素。实施例通过示例而不通过限制在附图的图中来描述。

图1描述了依照某些实施例的设备。

图2(a) – 2(c)描述了依照某些实施例的多种存储格式。

图3是依照某些实施例描述存储器访问操作的流程图。

图4是依照某些实施例描述维护操作的流程图。

图5描述了依照某些实施例的系统。

具体实施方式

在以下详细描述中参考附图,附图构成本文的一部分,遍及附图中类似的附图标记代表类似的部件,并且在附图中通过示例示出可以被实施的实施例。要明白的是,其它实施例也可以被利用并且结构或逻辑可以被改变而不背离本公开的范围。因此,以下详细描述不应当被理解成限制的意思,并且实施例的范围由所附的权利要求书及其等同物定义。

各种操作可以用最容易帮助理解所要求保护主题的方式被描述为多个离散的动作或依次的操作。但是,描述的顺序不应该被解释为暗示这些操作必须依赖于顺序。特别地,这些操作可以不按照介绍的顺序执行。所描述的操作可以用与所述实施例不同的顺序执行。各种额外操作可以被执行和/或描述的操作可以在额外实施例中被省略。

为了本公开的目的,短语“A和/或B”意味着(A)、(B)、或(A和B)。为了本公开的目的,短语“A、B和/或C”意味着(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)、或(A、B和C)。

说明书可以使用短语“在一个实施例中”、或“在多个实施例中”,其可以每个指向一个或多个相同或不同实施例。此外,术语“包括”、“包含”、“具有”以及类似,如结合本公开实施例所使用的,是同义的。

各种实体可以被引入并结合它们执行的操作被描述。要明白的是这些实体可以包括被合作配置以提供所述操作的硬件、软件和/或固件元素。

本公开的实施例描述了用于非易失性存储器的损耗管理,其提供非易失性存储器的高利用区域的有针对性的管理。如将要被展示的,这种有针对性的管理可以被提供而不须维护DRAM中的大间接寻址表。在某些实施例中,该有针对性的管理可以通过在每个存储单元中存储元数据而被提供,该元数据指示存储单元是处于代理状态还是非代理状态。

图1描述了依照某些实施例的设备100。设备100可以包括与存储器控制器108耦合的主机104,存储器控制器108又与非易失性存储器112耦合。

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