[发明专利]热式空气流量传感器有效
| 申请号： | 201180075125.5 | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103975226A | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 石塚典男;半泽惠二;小野瀬保夫;佐久间宪之 | 申请（专利权）人： | 日立汽车系统株式会社 |
| 主分类号： | G01F1/692 | 分类号： | G01F1/692 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 空气 流量传感器 | ||
1.一种热式空气流量传感器，其特征在于，包括：
半导体衬底；
形成于所述半导体衬底上的发热电阻体、测温电阻体和包含氧化硅膜的电绝缘体；和
将所述半导体衬底的一部分除去而形成的膜片部，
所述发热电阻体和所述测温电阻体形成在所述膜片部上，在所述发热电阻体和所述测温电阻体的上层具有作为所述电绝缘体而形成的氮化硅膜，其中，
所述氮化硅膜形成有与所述发热电阻体和所述测温电阻体图案对应的台阶，
并且，所述氮化硅膜为多层构造。
2.如权利要求1所述的热式空气流量传感器，其特征在于：
所述氮化硅膜为两层构造，第二层的膜厚比第一层的膜厚薄。
3.如权利要求1所述的热式空气流量传感器，其特征在于：
所述多层构造的膜中位于最上方的膜的膜厚比其它膜的膜厚薄。
4.一种热式空气流量传感器，其特征在于，包括：
半导体衬底；
形成于所述半导体衬底上的发热电阻体、测温电阻体和包含氧化硅膜的电绝缘体；和
将半导体衬底的一部分除去而形成的膜片部，
所述发热电阻体和所述测温电阻体形成在所述膜片部上，在所述发热电阻体和所述测温电阻体上配置有作为所述电绝缘体而形成的氧化硅膜，在所述氧化硅膜上层叠有氮化硅膜，其中，
所述氧化硅膜的表面被进行了平坦化。
5.一种热式空气流量传感器，其特征在于，包括：
半导体衬底；
形成于所述半导体衬底上的发热电阻体、测温电阻体和包含氧化硅膜的电绝缘体；和
将半导体衬底的一部分除去而形成的膜片部，
所述发热电阻体和所述测温电阻体形成在所述膜片部上，在所述发热电阻体和所述测温电阻体上配置有作为所述电绝缘体而形成的氧化硅膜，在所述氧化硅膜上层叠有氮化硅膜，其中，
所述氧化硅膜的表面被除去小于所述发热电阻体的膜厚的厚度。
6.一种热式空气流量传感器，其特征在于，包括：
半导体衬底；
形成于所述半导体衬底上的发热电阻体、测温电阻体和包含氧化硅膜的电绝缘体；和
将半导体衬底的一部分除去而形成的膜片部，
所述发热电阻体和所述测温电阻体形成在所述膜片部上，在所述发热电阻体和所述测温电阻体上配置有作为所述电绝缘体而形成的氧化硅膜，在所述氧化硅膜上层叠有氮化硅膜，其中，
所述氧化硅膜的表面被除去小于所述发热电阻体的膜厚的厚度，所述氮化硅膜为多层构造。
7.如权利要求1～4任一项所述的热式空气流量传感器，其特征在于：
在所述发热电阻体和所述测温电阻体形成有凸起。
8.一种热式空气流量传感器，其特征在于，包括：
半导体衬底；
形成于所述半导体衬底上的发热电阻体、测温电阻体和包含氧化硅膜的电绝缘体；和
将半导体衬底的一部分除去而形成的膜片部，
所述发热电阻体和所述测温电阻体形成在所述膜片部上，在所述发热电阻体和所述测温电阻体上配置有作为所述电绝缘体而形成的氧化硅膜，在所述氧化硅膜上层叠有氮化硅膜，其中，
在所述发热电阻体和所述测温电阻体形成有凸起，
所述氧化硅膜表面的台阶小于所述发热电阻体的膜厚度。
9.一种热式空气流量传感器，其特征在于，包括：
半导体衬底；
形成于所述半导体衬底上的发热电阻体、测温电阻体和包含氧化硅膜的电绝缘体；和
将半导体衬底的一部分除去而形成的膜片部，
所述发热电阻体和所述测温电阻体形成在所述膜片部上，在所述发热电阻体和所述测温电阻体上配置有作为所述电绝缘体而形成的氧化硅膜，在所述氧化硅膜上层叠有氮化硅膜，其中，
在所述发热电阻体和所述测温电阻体形成有凸起，
所述氧化硅膜表面的台阶小于所述发热电阻体的膜厚度，
所述氮化硅膜为多层构造。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立汽车系统株式会社，未经日立汽车系统株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201180075125.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：图像显示装置用防眩片
- 下一篇：坐标变换表创建系统和坐标变换表创建方法
