[发明专利]允许装置互连中的变化的堆栈式存储器

权利要求书

1.一种存储装置，包括：

用于所述存储装置的系统元件，所述系统元件包括多个衬垫；以及

与所述系统元件连接的存储栈，所述存储栈包括一个或多个存储器管芯层、所述系统元件和所述存储栈的连接包括用于连接第一存储器管芯层和所述系统元件的所述多个衬垫的多个互连；

其中，对于在所述存储栈中的单个存储器管芯层，所述多个衬垫的第一子集用于第一组互连，所述第一组互连用于所述系统元件和所述存储栈的所述连接；以及

其中，对于在所述存储栈中的两个或更多的存储器管芯层，所述多个衬垫的所述第一子集和附加的第二子集用于所述第一组互连和第二组互连，所述第一组互连和第二组互连用于所述系统元件和所述存储栈的所述连接，其中所述多个衬垫的所述第一子集被隔开，使得至少一个衬垫位于衬垫的所述第一子集的每一个衬垫之间，从而允许互连间距随着所述存储栈中的存储器管芯层的数量变化而变化。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中如果所述单个存储器管芯层是在所述存储栈中独有的存储器管芯层，则第一互连间距用于所述第一存储器管芯层和所述系统元件的所述互连。

3.根据权利要求2所述的存储装置，其中如果特定数量的存储器管芯层存在于所述存储栈中，则第二互连间距用于所述第一存储器管芯层和所述系统元件的所述互连，所述特定数量是2或更大，所述第一互连间距大于所述第二互连间距。

4.根据权利要求1所述的存储装置，其中针对将从每一个存储器管芯层驱动的在所述存储栈与所述存储装置的所述系统元件之间的总的逻辑存储器互连的子集构造所述存储装置。

5.根据权利要求1所述的存储装置，其中如果存储器管芯层的所述数量是用于所述存储器的存储器管芯层的最大数量，则所述多个衬垫中的所有所述衬垫用于互连。

6.根据权利要求1所述的存储装置，其中所述系统元件是片上系统（SoC）。

7.根据权利要求1所述的存储装置，进一步包括硅中介层，所述连接包括所述系统元件和存储栈至所述硅中介层的耦合。

8.根据权利要求1所述的存储装置，进一步包括非硅封装衬底，所述存储栈包括单个存储器管芯层，并且所述连接包括所述系统元件和所述单个存储器管芯层至所述非硅封装衬底的耦合。

9.一种逻辑芯片，包括：

用于计算机存储器的控制器；以及

用于所述逻辑芯片与存储栈的连接的多个衬垫，所述存储栈包括一个或多个存储器管芯层；

其中，对于在所述存储栈中的单个存储器管芯层，所述多个衬垫的第一子集用于第一组互连，所述第一组互连用于所述连接；以及

其中，对于在所述存储栈中的两个或更多的存储器管芯层，所述多个衬垫的所述第一子集和附加的第二子集用于所述第一组互连和第二组互连，所述第一组互连和第二组互连用于所述连接，其中所述多个衬垫的所述第一子集被隔开，使得至少一个衬垫位于衬垫的所述第一子集的每一个衬垫之间，从而允许互连间距随着所述存储栈中的存储器管芯层的数量变化而变化。

10.根据权利要求9所述的逻辑芯片，其中如果第一存储器管芯层是在所述存储栈中独有的存储器管芯层，则第一互连间距用于所述第一存储器管芯层和所述逻辑芯片的所述互连。

11.根据权利要求10所述的逻辑芯片，其中所述逻辑芯片和所述第一存储器管芯层与非硅封装衬底耦合。

12.根据权利要求10所述的逻辑芯片，其中如果特定数量的存储器管芯层存在于所述存储栈中，则第二互连间距用于所述第一存储器管芯层和所述逻辑芯片的所述互连，所述特定数量是2或更大，所述第一互连间距大于所述第二互连间距。

13.根据权利要求12所述的逻辑芯片，其中所述逻辑芯片和所述存储栈与封装衬底耦合，所述封装衬底是硅衬底或与非硅衬底耦合的硅中介层。