[发明专利]制备CMP组合物的方法及其应用

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，其包括在化学机械抛光(CMP)组合物存在下化学机械抛光包含硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)材料和原硅酸四乙酯(TEOS)的基材，所述组合物包含：

(A)其量占所述CMP组合物重量的0.05-1.5重量％的具有通过动态光散射测得为50-250nm平均粒度的二氧化铈颗粒，

(B)其量占所述CMP组合物重量的2-150ppm的作为分散剂或电荷反转剂的水溶性缩合磷酸盐，

(C)其量占所述CMP组合物重量的50-5000ppm的水溶性聚合物表面活性剂，其为乙二胺的氧化乙烯/氧化丙烯共聚物，和

(D)水性介质，

其中所述CMP组合物的pH值为4-10，并且硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)对原硅酸四乙酯(TEOS)的选择性小于1:1。

2.如权利要求1的方法，其中颗粒(A)具有通过动态光散射测得为80-220nm的平均粒度。

3.如权利要求1的方法，其中水溶性缩合磷酸盐(B)选自通式(I)的偏磷酸盐：

[M⁺_n(PO₃)_n] (I)

以及通式(II)和(III)的聚磷酸盐：

M⁺_nP_nO_3n+1(II)

M⁺H₂P_nO_3n+1(III)

其中M为铵、钠和/或钾且指数n为2-10,000。

4.如权利要求1的方法，其中水溶性缩合磷酸盐其选自Graham盐(NaPO₃)_40-50、CalgonTM(NaPO₃)_15-20、Kurrol盐(NaPO₃)_n、六偏磷酸铵、六偏磷酸钠和六偏磷酸钾。

5.如权利要求1-4中任一项的方法，其中表面活性剂(C)为304或904。

6.如权利要求1-4中任一项的方法，其中所述CMP组合物的pH值为5.5-8.5。

7.如权利要求5的方法，其中所述CMP组合物的pH值为5.5-8.5。

8.如权利要求1-4中任一项的方法，其包括化学机械抛光硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)层和原硅酸四乙酯(TEOS)层，其中BPSG对TEOS的选择性为0.5:1至小于1:1。

9.如权利要求5的方法，其包括化学机械抛光硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)层和原硅酸四乙酯(TEOS)层，其中BPSG对TEOS的选择性为0.5:1至小于1:1。

10.如权利要求6的方法，其包括化学机械抛光硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)层和原硅酸四乙酯(TEOS)层，其中BPSG对TEOS的选择性为0.5:1至小于1:1。

11.如权利要求7的方法，其包括化学机械抛光硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)层和原硅酸四乙酯(TEOS)层，其中BPSG对TEOS的选择性为0.5:1至小于1:1。

12.一种如权利要求1-11中任一项所定义的CMP组合物在化学机械抛光包含硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)材料的基材中的用途。