[发明专利]具有减小的单端电容的电压控制振荡器

权利要求书

1. 一种电压控制振荡器(VCO)，包括：

    变压器，包括初级电感器和次级电感器，所述次级电感器电感地耦合到所述初级电感器；

    电容器组，耦合到所述次级电感器，所述电容器组提供所述VCO的总电容的大部分；以及

    增益级，耦合到所述初级电感器，以及配置成接收电源信号，并且驱动所述初级电感器中的差动电流，由此跨所述次级电感器感应其频率等于所述VCO的谐振频率的输出信号。

2. 如权利要求1所述的VCO，还包括与所述初级电感器并联耦合到所述增益级的一个或多个变抗器，所述一个或多个变抗器配置成接收所述电源信号。

3. 如权利要求1所述的VCO，其中，所述电容器组包括多个开关电容器，所述开关电容器在接通时有选择地与所述次级电感器并联耦合。

4. 如权利要求3所述的VCO，其中，所述电容器组包括所述VCO的所述开关电容器的全部。

5. 如权利要求3所述的VCO，其中，所述多个开关电容器布置成电容器对，所述电容器对之间耦合有开关。

6. 如权利要求1所述的VCO，其中，所述初级电感器包括第一和第二端子，并且所述增益级包括具有第一漏极和第一栅极的第一晶体管以及具有第二漏极和第二栅极的第二晶体管，其中：

所述第一漏极耦合到所述第一端子；

所述第二漏极耦合到所述第二端子；

所述第一栅极耦合到所述第二端子；以及

所述第二栅极耦合到所述第一端子。

7.  如权利要求1所述的VCO，其中，所述初级电感器包括第一和第二端子，所述次级电感器包括第三和第四端子，并且所述增益级包括具有第一漏极和第一栅极的第一晶体管以及具有第二漏极和第二栅极的第二晶体管，其中：

所述第一漏极耦合到所述第一端子；

所述第二漏极耦合到所述第二端子；

所述第一栅极耦合到所述第四端子；以及

所述第二栅极耦合到所述第三端子。

8. 如权利要求1所述的VCO，其中，所述电容器组包括与所述次级电感器并联耦合的一个或多个变抗器。

9.  一种电路，包括：

    包含第一晶体管和第二晶体管的增益级，所述第一晶体管具有耦合到第一节点的第一漏极端子，并且所述第二晶体管具有耦合到第二节点的第二漏极端子；

    一对变抗器，耦合在所述第一节点与所述第二节点之间，并且配置成在所述变抗器对之间的电源节点来接收电源信号；

    第一电感器，耦合在所述第一节点与所述第二节点之间；

    第二电感器，耦合在第三节点与第四节点之间，所述第二电感器电感地耦合到所述第一电感器；以及

    电容器组，耦合在所述第三节点与所述第四节点之间，所述电容器组包括配置成当接通时有选择地耦合在所述第三节点与所述第四节点之间的多个开关电容器。

10.如权利要求9所述的电路，其中，所述电容器组提供所述电路的总电容的大部分。

11.如权利要求9所述的电路，其中，所述增益级配置成驱动所述第一电感器，并且所述第一电感器配置成跨所述第三节点和第四节点创建输出信号，所述输出信号是频率等于所述电路的谐振频率的交流信号，所述谐振频率取决于接通的所述多个开关电容器的数量。

12.如权利要求9所述的电路，其中，所述第一晶体管包括第一栅极端子，并且所述第二晶体管包括第二栅极端子，所述第一栅极端子耦合到所述第二节点，以及所述第二栅极端子耦合到所述第一节点。

13.如权利要求9所述的电路，其中，所述第一晶体管包括第一栅极端子，并且所述第二晶体管包括第二栅极端子，所述第一栅极端子耦合到所述第四节点，以及所述第二栅极端子耦合到所述第三节点。

14.如权利要求9所述的电路，其中，所述第一晶体管或者所述第二晶体管包括n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。

15.如权利要求9所述的电路，其中，所述第一晶体管或者所述第二晶体管包括p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。