[发明专利]具有包含不同材料取向或组成的纳米线或半导体主体的共衬底半导体器件

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

第一半导体器件，其包括设置于结晶衬底之上的第一纳米线，所述第一纳米线包括具有第一全局晶体取向的半导体材料；以及

第二半导体器件，其包括设置于所述结晶衬底之上的第二纳米线，所述第二纳米线包括具有第二全局晶体取向的半导体材料，所述第二全局晶体取向不同于所述第一全局取向，并且所述第二纳米线通过设置于所述第二纳米线与所述结晶衬底之间的隔离基座与所述结晶衬底隔离。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一半导体器件的所述第一纳米线通过设置于所述第一纳米线与所述结晶衬底之间的掩埋介电层与所述结晶衬底隔离。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述掩埋介电层的组成基本上与所述隔离基座的组成相同。

4.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述掩埋介电层的组成与所述隔离基座的组成不同。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述结晶衬底具有与所述第二全局取向相同的全局取向。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中所述结晶衬底和所述第二纳米线的半导体材料包括具有(100)全局取向的Ⅳ族材料，并且所述第一纳米线的半导体材料包括具有(110)全局取向的Ⅳ族材料。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一半导体器件还包括设置于所述第一纳米线之上、并在垂直平面中与所述第一纳米线堆叠的一个或多个附加的纳米线，并且所述第二半导体器件还包括设置于所述第二纳米线之上、并在垂直平面中与所述第二纳米线堆叠的一个或多个附加的纳米线。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第一半导体器件还包括围绕所述第一纳米线的一部分的第一栅极电极堆叠体，并且所述第二半导体器件还包括围绕所述第二纳米线的一部分的第二栅极电极堆叠体。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

第三半导体器件，其包括设置于所述结晶衬底之上的第三纳米线，所述第三纳米线包括具有第三全局晶体取向的半导体材料，所述第三全局晶体取向不同于所述第一全局取向和所述第二全局取向，所述第三纳米线通过设置于所述第三纳米线与所述结晶衬底之间的第二隔离基座与所述结晶衬底隔离。

10.一种半导体结构，包括：

第一半导体器件，其包括设置于结晶衬底之上的第一纳米线，所述第一纳米线基本上由第一半导体材料组成；以及

第二半导体器件，其包括设置于所述结晶衬底之上的第二纳米线，所述第二纳米线基本上由不同于所述第一半导体材料的第二半导体材料组成，并且所述第二纳米线通过设置于所述第二纳米线与所述结晶衬底之间的隔离基座与所述结晶衬底隔离。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述第一半导体器件的所述第一纳米线通过设置于所述第一纳米线与所述结晶衬底之间的掩埋介电层与所述结晶衬底隔离。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其中所述掩埋介电层的组成基本上与所述隔离基座的组成相同。

13.根据权利要求11所述的半导体结构，其中所述掩埋介电层的组成与所述隔离基座的组成不同。

14.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述第二半导体材料是Ⅳ族材料，并且所述第一半导体材料是Ⅳ族材料或Ⅲ-Ⅴ族材料。

15.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述第一半导体器件还包括设置于所述第一纳米线之上、并在垂直平面中与所述第一纳米线堆叠的一个或多个附加的纳米线，并且所述第二半导体器件还包括设置于所述第二纳米线之上、并在垂直平面中与所述第二纳米线堆叠的一个或多个附加的纳米线。

16.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述第一半导体器件还包括围绕所述第一纳米线的一部分的第一栅极电极堆叠体，并且所述第二半导体器件还包括围绕所述第二纳米线的一部分的第二栅极电极堆叠体。