[发明专利]具有金属伪特征的电感器设计有效
申请号: | 201180075931.2 | 申请日: | 2011-12-29 |
公开(公告)号: | CN104011860B | 公开(公告)日: | 2017-08-01 |
发明(设计)人: | M·A·埃尔-塔纳尼;J·B·里兹克 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/64;H01F17/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 韩宏,陈松涛 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 金属 特征 电感器 设计 | ||
1.一种集成电路,包括:
衬底;
电感器,其设置在所述衬底中或所述衬底上;
多个第一导电金属片,其设置在所述电感器下面并紧邻所述电感器的下表面;以及
多个第二导电金属片,其设置在所述电感器上面并紧邻所述电感器的上表面;
其中所述多个第一导电金属片具有比所述多个第二导电金属片紧密的间距。
2.如权利要求1所述的电路,还包括下列项中的至少一个:
第一层绝缘材料,其设置在所述衬底和所述多个第一导电金属片之间;
第二层绝缘材料,其设置在所述多个第一导电金属片和所述电感器之间;以及
第三层绝缘材料,其设置在所述电感器和所述多个第二导电金属片之间。
3.如权利要求2所述的电路,其中所述绝缘材料选自由电绝缘聚合物、电绝缘陶瓷和介电材料组成的组。
4.如权利要求2或3所述的电路,其中用于第一层绝缘材料、第二层绝缘材料和第三层绝缘材料中的每个的所述绝缘材料是相同的。
5.如权利要求1至3中的任一项所述的电路,其中所述导电金属选自由铜、铝、银、镍、金、钛、铟、钨及其合金所组成的组。
6.如权利要求1至3中的任一项所述的电路,其中用于所述多个第一导电金属片和所述多个第二导电金属片中的每个的所述导电金属是相同的。
7.如权利要求1至3中的任一项所述的电路,其中所述多个第一导电金属片中的金属片在至少一个维度上小于1μm,而所述多个第二导电金属片中的金属片在至少一个维度上大于1μm。
8.如权利要求1至3中的任一项所述的电路,其中所述多个第二导电金属片中的至少一个片具有大于或等于200μm2的面积。
9.如权利要求1至3中的任一项所述的电路,其中所述电感器具有磁场和最大磁通量区,且所述磁场在该区内的幅度大于或等于由所述电感器产生的最大磁场的75%。
10.如权利要求9所述的电路,其中所述多个第二导电金属片的小于30%的体积存在于所述最大磁通量区中。
11.如权利要求9所述的电路,其中所述多个第二导电金属片不存在于所述最大磁通量区中。
12.如权利要求1至3中的任一项所述的电路,其中所述多个第二导电金属片设置成垂直于所述电感器中的电流。
13.如权利要求1至3中的任一项所述的电路,其中所述多个第二导电金属片覆盖所述电感器的小于60%的上表面。
14.如权利要求1至3中的任一项所述的电路,其中所述电感器可操作地耦合到差动激励源。
15.如权利要求1至3中的任一项所述的电路,其中所述电感器可操作地耦合到偏压源。
16.一种电子设备,包括权利要求1至3中的任一项所述的一个或多个集成电路。
17.如权利要求16所述的电子设备,其中所述电子设备包括存储器电路、通信芯片、处理器、和/或计算系统中的至少一个。
18.一种集成电感器设备,包括:
衬底;
电感器,其设置在所述衬底中或所述衬底上,其中所述电感器具有最大磁通量区;
多个第一铜片,其设置在所述电感器下面并紧邻所述电感器的下表面,其中所述片具有小于或等于1μm的尺寸;以及
多个第二铜片,其设置在所述电感器上面并紧邻所述电感器的上表面,其中所述片具有大于或等于10μm的尺寸;
其中所述多个第二铜片的小于30%的体积存在于所述最大磁通量区中。
19.如权利要求18所述的电感器设备,还包括设置在下列组中的至少一组之间的介电材料:所述衬底与所述多个第一铜片;所述多个第一铜片与所述电感器;和/或所述电感器与所述多个第二铜片。
20.一种电感器-电容器锁相环设备,包括权利要求18或19所述的电感器设备。
21.一种微处理器,包括权利要求18或19所述的电感器设备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的