[发明专利]具有环绕式接触部的纳米线结构在审
| 申请号： | 201180076439.7 | 申请日： | 2011-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN104137211A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | J·赫夫纳;A·哈斯桑普尔 | 申请（专利权）人： | ABB技术有限公司 |
| 主分类号： | H01H33/59 | 分类号： | H01H33/59;H01H9/54 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶晓勇;刘春元 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 环绕 接触 纳米 结构 | ||
1.一种直流DC电路断路器(200；300)，包括：
主断路器(210；310)；
串联连接的切断开关(220；320)和辅助断路器(230；330)；
所述切断开关和所述辅助断路器的所述串联连接，被并联连接到所述主断路器；以及
包括电容器(250；351)的缓冲电路，所述电容器被并联连接到所述辅助断路器，
其中，所述电路断路器还包括开关装置(270；371)，所述开关装置(270；371)被布置用于响应于所述辅助断路器被断开而切断所述缓冲电容器。
2.根据权利要求1所述的DC电路断路器，其中开关装置与所述缓冲电容器串联连接。
3.根据权利要求1所述的DC电路断路器，其中所述开关装置包括功率半导体开关元件(371，380)。
4.根据权利要求3所述的DC电路断路器，其中，所述功率半导体开关元件包括绝缘栅双极晶体管IGBT(381)。
5.根据权利要求3所述的DC电路断路器，其中，所述功率半导体开关元件包括双模式绝缘栅晶体管BiGT。
6.根据权利要求1所述的DC电路断路器，其中所述主断路器包括多个串联连接的功率半导体开关元件(380)。
7.根据权利要求1所述的DC电路断路器，其中，所述切断开关包括机械开关。
8.根据权利要求1所述的DC电路断路器，其中，所述辅助断路器包括功率半导体开关元件(330，380)。
9.一种直流DC电路断路器(200；300)的方法，所述电路断路器包括：
主断路器(210；310)；
串联连接的切断开关(220；320)和辅助断路器(230；330)；
所述切断开关和所述辅助断路器的所述串联连接，被并联连接到所述主断路器；以及
包括电容器(250；351)的缓冲电路，所述电容器被并联连接到所述辅助断路器，
其中，所述方法包括响应于所述辅助断路器被断开而切断所述缓冲电容器。
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