[发明专利]在非天然表面上形成具有减小的表面粗糙度和体缺陷密度的异质层的方法以及由此形成的结构

权利要求书

1.一种形成结构的方法，包括：

提供带有具有第一晶格常数的顶表面的衬底；

将第一层沉积在所述衬底的顶表面上，其中所述第一层带有具有第二晶格常数的顶表面，所述第二晶格常数不同于所述第一晶格常数；

使所述第一层退火；

抛光所述第一层，以形成具有第三晶格常数的第一抛光表面；以及

将第二层沉积在所述第一抛光表面之上，其中所述第二层带有具有第四晶格常数的顶表面。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一层在足够高的温度下且在足够长的时间内被退火，以实现在所述第一层中小于1E7个缺陷/cm2的体缺陷密度和/或在第一层的所述顶表面上的大于20nm的均方根表面粗糙度，且其中所述第一抛光表面具有小于1nm的均方根表面粗糙度和小于10nm的峰到谷表面粗糙度范围。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一晶格常数具有与所述第二晶格常数至少大约1％的晶格常数失配。

4.如权利要求1所述的方法，还包括在沉积所述第二层之前从所述第一抛光表面去除氧化层。

5.如权利要求1所述的方法，还包括在沉积所述第二层之前将初始层沉积在所述第一抛光表面上，其中所述第二层被沉积在所述初始层上，且其中所述初始层具有近似等于所述第三晶格常数的晶格常数。

6.如权利要求1所述的方法，还包括：

使所述第二层退火，其中所述第四晶格常数不同于所述第三晶格常数；

抛光所述第二层，以形成具有第五晶格常数的第二抛光表面；以及

将第三层沉积在所述第二抛光表面之上，其中所述第三层带有具有第六晶格常数的顶表面。

7.如权利要求1所述的方法，还包括：

使所述第二层退火，其中所述第四晶格常数不同于所述第三晶格常数；

将覆盖层沉积在所述第二层的顶表面上，所述覆盖层具有近似等于所述第四晶格常数的晶格常数；

抛光所述覆盖层以形成抛光的覆盖表面；以及

将第三层沉积在所述抛光的覆盖表面之上，其中所述第三层带有具有第六晶格常数的顶表面。

8.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述衬底的顶表面上形成多个第一高宽比捕获特征，所述多个第一高宽比捕获特征被间隔开，以形成多个第一高宽比捕获沟槽，其中所述第一层沉积在所述多个第一高宽比捕获沟槽中，且其中所述多个第一高宽比捕获特征具有与所述第一抛光表面近似在同一平面上的顶表面。

9.如权利要求10所述的方法，还包括：

在所述多个第一高宽比捕获特征上形成多个第二高宽比捕获特征，所述多个第二高宽比捕获特征与所述多个第一高宽比捕获特征对齐并形成多个第二高宽比捕获沟槽，其中所述第二层沉积在所述多个第二高宽比捕获沟槽中。

10.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一抛光表面上形成多个第一高宽比捕获特征，所述多个高宽比捕获特征被间隔开以形成多个第一高宽比捕获沟槽，其中所述第二层被沉积在所述多个第一高宽比捕获沟槽中；

使所述第二层退火，其中所述第四晶格常数不同于所述第三晶格常数；

将覆盖层沉积在所述第二层的顶表面上和所述高宽比捕获沟槽中，所述覆盖层具有近似等于所述第四晶格常数的晶格常数；

抛光所述覆盖层以形成抛光的覆盖表面；以及

将第三层沉积在所述抛光的覆盖表面之上，其中所述第三层带有具有第六晶格常数的顶表面。

11.一种形成结构的方法，包括：

提供带有具有第一晶格常数的顶表面的衬底；

将第一层沉积在所述衬底的顶表面上，其中所述第一层带有具有第二晶格常数的顶表面，所述第二晶格常数不同于所述第一晶格常数；

使所述第一层退火；

将第一覆盖层沉积在所述第一层的顶表面上，所述第一覆盖层具有近似等于所述第二晶格常数的均匀晶格常数；

抛光所述第一覆盖层，以形成第一抛光的覆盖表面；以及

将第二层沉积在所述第一抛光的覆盖表面之上，其中所述第二层带有具有第三晶格常数的顶表面。

12.如权利要求11所述的方法，还包括在沉积所述第二层之前去除在所述第一抛光的覆盖表面上的氧化物。