[其他]屏蔽件和处理套件有效
申请号: | 201190000306.7 | 申请日: | 2011-01-19 |
公开(公告)号: | CN203103267U | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
发明(设计)人: | 劳拉·郝勒查克;希兰库玛·萨万戴亚 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/203 | 分类号: | H01L21/203 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 屏蔽 处理 套件 | ||
一种物理气相沉积腔室的屏蔽件,其包括:
圆柱形外带;
圆柱形内带;
基部平板,其将所述圆柱形外带与所述圆柱形内带耦接以形成单件式单一构件;及
多个球体,其耦接至所述圆柱形内带,所述球体向所述圆柱形内带的内部径向延伸。
根据权利要求1所述的屏蔽件,还包括:
多个圆柱形支架,每个支架中插入有所述球体当中的相应一者,所述圆柱形支架设置于所述圆柱形内带中形成的孔洞中。
根据权利要求2所述的屏蔽件,其中所述孔洞围绕所述圆柱形内带均匀地分隔开。
一种围绕溅射靶材面对衬底处理腔室中的衬底支撑件的溅射表面的屏蔽件,所述屏蔽件包括:
圆柱形外带,其具有尺寸经设计以围绕所述溅射靶材的所述溅射表面的第一直径,所述圆柱形外带具有尺寸经设计以围绕所述溅射表面的顶部端以及尺寸经设计以围绕所述衬底支撑件的底部端;
倾斜梯部,其具有大于所述第一直径的第二直径,所述倾斜梯部从所述圆柱形外带的顶部端径向向外延伸;
安装凸缘,其从所述倾斜梯部径向向外延伸;
基部平板,其从所述圆柱形带的底部端径向向内延伸;及
圆柱形内带,其耦接于所述基部平板,且所述圆柱形内带的尺寸经设计以围绕所述衬底支撑件的周边边缘,其中所述圆柱形内带具有多个孔洞,所述多个孔洞中的每一者用以容纳置中机构,以均匀地围绕所述屏蔽件的直径维持所述屏蔽件与盖环之间的受控制的间隙。
根据权利要求4所述的屏蔽件,其中用以相对所述盖环置中所述屏蔽件的所述置中机构包括:
球体,其提供与所述盖环的点接触。
根据权利要求4所述的屏蔽件,其中所述多个孔洞围绕所述屏蔽件的直径均匀地分隔开。
根据权利要求4所述的屏蔽件,其中所述圆柱形外带、所述倾斜梯部、所述安装凸缘、所述基部平板与所述圆柱形内带构成单一铝结构。
根据权利要求4所述的屏蔽件,其中所述圆柱形内带的高度小于所述圆柱形外带的高度。
根据权利要求4所述的屏蔽件,其中所述圆柱形内带具有小于所述第一直径的第三直径。
根据权利要求4所述的屏蔽件,其中所述安装凸缘具有阶梯部。
根据权利要求4所述的屏蔽件,包括设置于所述屏蔽件的表面上的双线铝弧喷涂层。
根据权利要求11所述的屏蔽件,其中所述双线铝弧喷涂层包括约600至约2300微英寸的表面粗糙度。
根据权利要求5所述的屏蔽件,其中所述屏蔽件的暴露表面经喷珠处理以具有175±75微英寸的表面粗糙度。
一种处理套件,其包括:
屏蔽件,其包括:
圆柱形外带,其具有尺寸经设计以围绕溅射靶材的溅射表面的第一直径,所述圆柱形外带具有尺寸经设计以围绕所述溅射表面的顶部端以及尺寸经设计以围绕衬底支撑件的底部端;
倾斜梯部,其具有大于所述第一直径的第二直径,所述倾斜梯部从所述圆柱形外带的顶部端径向向外延伸;
安装凸缘,其从所述倾斜梯部径向向外延伸;
基部平板,其从所述圆柱形带的底部端径向向内延伸;及
圆柱形内带,其耦接于所述基部平板,且所述圆柱形内带的尺寸经设计以围绕所述衬底支撑件的周边边缘;及
盖环,其包括:
环状楔形物,其包括:
倾斜顶表面,其围绕所述衬底支撑件,所述倾斜顶表面具有内周边与外周边;
足部,其从所述倾斜顶表面向下延伸;及
凸出缘,其围绕所述顶表面的内周边;
内圆柱形带,其从所述环状楔形物向上与向下延伸;
桥体,其耦接至所述内圆柱形带的上端部;及
外圆柱形带,其从所述桥体向下延伸,其中所述外圆柱形带的高度小于所述内圆柱形带的高度,且其中所述屏蔽件的圆柱形内带具有多个孔洞,所述多个孔洞当中的每一者用以容纳置中机构,以均匀地围绕所述屏蔽件的直径维持所述屏蔽件与盖环之间的受控制的间隙。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造