[发明专利]一种制备氧化铜粉的方法无效
申请号: | 201210000150.3 | 申请日: | 2012-01-04 |
公开(公告)号: | CN102531028A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 汪锦瑞 | 申请(专利权)人: | 金川集团有限公司 |
主分类号: | C01G3/02 | 分类号: | C01G3/02 |
代理公司: | 中国有色金属工业专利中心 11028 | 代理人: | 李迎春;李子健 |
地址: | 737103*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 氧化铜 方法 | ||
1.一种制备氧化铜粉的方法,其特征在于其制备过程的步骤包括:
(1)以阴极铜原料,采用雾化法制得雾化铜粉;
(2)将雾化铜粉进行氧化焙烧,制成氧化铜粉;
(3)将步骤(2)的氧化铜的进行气流破碎并过0.15mm筛网;筛上物返回到步骤(2)进行氧化焙烧,筛下物进入进行二次化焙烧;
(4)二次氧化焙烧的氧化铜粉,过0.075mm筛网,筛下为产品。
2.根据权利要求1所述的一种制备氧化铜粉的方法,其特征在于以阴极铜原料,采用雾化法制得雾化铜粉的粒度为≤0.054mm。
3.根据权利要求1所述的一种制备氧化铜粉的方法,其特征在于所述的(2)将雾化铜粉进行氧化焙烧过程先在150~200℃下预氧化,再在400~450℃下进行氧化。
4.根据权利要求1所述的一种制备氧化铜粉的方法,其特征在于所述的(3)的进行二次氧化焙烧过程是600~650℃进行的。
5.根据权利要求1所述的一种制备氧化铜粉的方法,其特征在于所述的(2)将雾化铜粉进行氧化焙烧过程采用回转窑进行,回转窑加温分为两区,Ⅰ区预设温度为150~200℃,Ⅱ区预设温度为400~450℃;先在Ⅰ区预氧化,然后在Ⅱ区进一步氧化;氧化后的物料经气流破碎并过筛网。
6.根据权利要求1所述的一种制备氧化铜粉的方法,其特征在于所述的(3)的进行二次氧化焙烧过程在回转窑中进行,回转窑预设温度为600~650℃。
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