[发明专利]一种H桥和半H桥通用电路模块

权利要求书

1.一种H桥和半H桥通用电路模块，其特征在于，它包括四个可控功率半导体器件、四个二极管、三个双向可控开关、一个单刀双掷开关和两个电解电容；双向可控开关可以为双向可控硅、电磁继电器等；可控功率半导体器件可以为IGBT、MOSFET、SCR等。

2.根据权利要求1所述H桥和半H桥通用电路模块，其特征在于，所述可控功率半导体器件为IGBT，所述四个二极管（D1~D4）分别反并联在四个IGBT（T1~T4）的集电极和发射极之间，第一IGBT（T1）的发射极和第二IGBT（T2）的集电极相连，第三IGBT（T3）的发射极和第四IGBT（T4）的集电极相连，第一IGBT（T1）的集电极和第一电解电容（C1）的正极相连，第二IGBT（T2）的发射极和第一电解电容（C1）的负极相连，第三IGBT（T3）的集电极和第二电解电容（C2）的正极相连，第四IGBT（T4）的发射极和第二电解电容（C2）的负极相连，第一双向可控开关（S1）的两端分别和第一IGBT（T1）的集电极和第三IGBT（T3）的集电极相连，第二双向可控开关（S2）的两端分别和第二IGBT（T2）的发射极和第四IGBT（T4）的发射极相连，第三双向可控开关（S3）的两端分别和第二IGBT（T2）的发射极和第四IGBT（T4）的集电极相连，单刀双掷开关（K1）第一开关触点（Ka）和第四IGBT（T4）的集电极相连，第二开关触点（Kb）和第四IGBT（T4）的发射极相连，第一IGBT（T1）的发射极作为第一输出端子（A），单刀双掷开关K1的刀片作为第二输出端子（B）。

3.根据权利要求1所述H桥和半H桥通用电路模块，其特征在于，所述可控功率半导体器件为MOSFET，四个二极管（D1~D4）分别反并联在四个MOSFET （T1~T4）的漏极和源极之间，第一MOSFET（T1）的源极和第二MOSFET（T2）的漏极相连，第三MOSFET（T3）的源极和第四MOSFET（T4）的漏极相连，第一MOSFET（T1）的漏极和第一电解电容（C1）的正极相连，第二MOSFET（T2）的源极和第一电解电容（C1）的负极相连，第三MOSFET（T3）的漏极和第二电解电容（C2）的正极相连，第四MOSFET（T4）的源极和第二电解电容（C2）的负极相连，第一双向可控开关（S1）的两端分别和第一MOSFET（T1）的漏极和第三MOSFET（T3）的漏极相连，第二双向可控开关（S2）的两端分别和第二MOSFET（T2）的源极和第四MOSFET（T4）的源极相连，第三双向可控开关（S3）的两端分别和第二MOSFET（T2）的源极和第四MOSFET（T4）的漏极相连，单刀双掷开关（K1）第一开关触点（Ka）和第四MOSFET（T4）的漏极相连，第二开关触点（Kb）和第四MOSFET（T4）的源极相连，第一MOSFET（T1）的源极作为第一输出端子（A），单刀双掷开关（K1）的刀片作为第二输出端子（B）。

4.根据权利要求1所述H桥和半H桥通用电路模块，其特征在于，所述可控功率半导体器件为SCR，四个二极管（D1~D4）分别反并联在四个SCR（T1~T4）的阳极和阴极之间，第一SCR（T1）的阴极和第二SCR（T2）的阳极相连，第三SCR（T3）的阴极和第四SCR（T4）的阳极相连，第一SCR（T1）的阳极和第一电解电容（C1）的正极相连，第二SCR（T2）的阴极和第一电解电容（C1）的负极相连，第三SCR（T3）的阳极和第二电解电容（C2）的正极相连，第四SCR（T4）的阴极和第二电解电容（C2）的负极相连，第一双向可控开关（S1）的两端分别和第一SCR（T1）的阳极和第三SCR（T3）的阳极相连，第二双向可控开关（S2）的两端分别和第二SCR（T2）的阴极和第四SCR（T4）的阴极相连，第三双向可控开关（S3）的两端分别和第二SCR（T2）的阴极和第四SCR（T4）的阳极相连，单刀双掷开关（K1）第一开关触点（Ka）和第四SCR（T4）的阳极相连，第二开关触点（Kb）和第四SCR（T4）的阴极相连，第一SCR（T1）的阴极作为第一输出端子（A），单刀双掷开关（K1）的刀片作为第二输出端子（B）。