[发明专利]发光二极管基板及其加工方法与发光二级管

权利要求书

1.一种发光二极管基板，具有一蓝宝石基板，其特征在于：所述蓝宝石基板的一面上具有若干个上三下六角锥体，每一个所述上三下六角锥体为一个六角锥体与位于所述六角锥体上的一个三角锥体所组成的结构，且每个所述上三下六角锥体中所述三角锥体的投影面积与所述上三下六角锥体的投影面积之比大于0且小于0.5。

2.如权利要求1所述的发光二极管基板，其特征在于：所有所述上三下六角锥体中的所述三角锥体的总投影面积与所述蓝宝石基板的投影面积之比小于0.2。

3.如权利要求1所述的发光二极管基板，其特征在于：将所述上三下六角锥体之间的距离定义为周期，所述周期小于10μm。

4.如权利要求1所述的发光二极管基板，其特征在于：将所述上三下六角锥体中自所述三角锥体顶部到所述六角锥体底部的垂直距离定义为所述上三下六角锥体的最大高度，每一上三下六角锥体的最大高度为1μm～2μm。

5.如权利要求1所述的发光二极管基板，其特征在于：所述三角锥体的顶部为平面和尖端两者之一。

6.如权利要求1所述的发光二极管基板，其特征在于：所述三角锥体的对称剖面具有一第一底角以及一第二底角，所述第二底角大于所述第一底角，且所述第二底角的角度在28度至32度之间。

7.如权利要求1所述的发光二极管基板，其特征在于：所述六角锥体的对称剖面具有一第三底角以及一第四底角，所述第四底角大于所述第三底角，且所述第四底角的角度在50度至70度之间。

8.如权利要求1所述的发光二极管基板，其特征在于：所述蓝宝石基板的一面上除了包括所述上三下六角锥体以外还包括(0001)面，且所述(0001)面占所述蓝宝石基板的投影面积的10％～60％。

9.一种发光二极管，其特征在于：具有如权利要求1～8中任一项所述的发光二极管基板。

10.一种如权利要求1～8中任一项所述的发光二极管基板的加工方法，其特征在于：利用至少一湿式蚀刻制程对一蓝宝石基板进行蚀刻，以于所述蓝宝石基板表面形成若干个上三下六角锥体，其中每一个上三下六角锥体为一个六角锥体与位于所述六角锥体上的一个三角锥体所组成的结构，且每个所述上三下六角锥体中所述三角锥体的投影面积与所述上三下六角锥体的投影面积之比大于0且小于0.5。

11.如权利要求10所述的发光二极管基板的加工方法，其特征在于：其中所述至少一湿式蚀刻制程是利用形成于所述蓝宝石基板表面的一图案化硬罩幕作为蚀刻罩幕。

12.如权利要求10所述的发光二极管基板的加工方法，其特征在于：其中所述至少一湿式蚀刻制程是指单一湿式蚀刻步骤和两道湿式蚀刻步骤两者之一。

13.如权利要求12所述的发光二极管基板的加工方法，其特征在于：其中所述单一湿式蚀刻步骤包括使用一混合蚀刻液进行蚀刻，来形成所述上三下六角锥体，且所述混合蚀刻液至少包括磷酸。

14.如权利要求12所述的发光二极管基板的加工方法，其特征在于：其中所述两道湿式蚀刻步骤包括：

先进行一第一湿式蚀刻步骤，以于所述蓝宝石基板表面形成若干个六角锥体；

再进行一第二湿式蚀刻步骤，于每一所述六角锥体上形成三角锥体。