[发明专利]带弯曲聚焦的电容式微机电超声传感器的制作方法

权利要求书

1.带弯曲聚焦的电容式微机电超声传感器的制作方法，其特征为，制作方法包括以下步骤：  （1）将组成电容式微机电传感器的器件层和基底作为一体，在传感器基底和衬底之间放置垫片；

（2）对上述放置垫片的传感器加力进行弯曲，直到弯曲到所需的弯曲度；

（3）保持传感器的上述弯曲度。

2.根据权利要求1所述的带弯曲聚焦的电容式微机电超声传感器的制作方法，其特征为，上述垫片附着在基底或衬底其中之一上。

3.根据权利要求2所述的带弯曲聚焦的电容式微机电超声传感器的制作方法，其特征为，上述垫片直接在基底或衬底上用微机电工艺刻蚀而成。

4.根据权利要求3所述的带弯曲聚焦的电容式微机电超声传感器的制作方法，其特征为，上述基底或衬底中埋一个刻蚀阻止层，刻蚀上述垫片时刻蚀停止在该刻蚀阻止层处。

5.根据权利要求4所述的带弯曲聚焦的电容式微机电超声传感器的制作方法，其特征为，上述基底或衬底采用硅片制成，上述刻蚀阻止层为埋在硅片中的氧化层。

6.根据权利要求4所述的带弯曲聚焦的电容式微机电超声传感器的制作方法，其特征为，上述基底和衬底采用硅片制成，上述刻蚀阻止层为埋在硅片中的氧化层。

7.根据权利要求2所述的带弯曲聚焦的电容式微机电超声传感器的制作方法，其特征为，上述垫片直接在基底或衬底上用半导体封装工艺制成。

8.根据权利要求2所述的带弯曲聚焦的电容式微机电超声传感器的制作方法，其特征为，上述基底或衬底上的垫片可以用半导体封装工艺的焊接材料制成。

9.根据权利要求8所述的带弯曲聚焦的电容式微机电超声传感器的制作方法，其特征为，上述半导体封装工艺的焊接材料之一是倒装芯片封装工艺的焊接球。

10.根据权利要求1所述的带弯曲聚焦的电容式微机电超声传感器的制作方法，其特征为，上述垫片可通过硅片键合方法附着到衬底或基底上，也可通过中间材料胶水或环氧树脂胶合到衬底上。

11.根据权利要求1所述的带弯曲聚焦的电容式微机电超声传感器的制作方法，其特征为，上述步骤（2）中弯曲传感器时可以直接加力弯曲，也可以用空腔和外界的气压差来弯曲。

12. 根据权利要求1所述的带弯曲聚焦的电容式微机电超声传感器的制作方法，其特征为，上述垫片是由导体或半导体材料制成。

13. 根据权利要求12所述的带弯曲聚焦的电容式微机电超声传感器的制作方法，其特征为，上述垫片用以作为传感器和衬底之间的电连接。

14.带弯曲聚焦的电容式微机电超声传感器的制作方法，其特征为制作方法包括：

（1）在基底形成空腔，将空腔的边界墙作为垫片；

（2）将另一个具有一定厚度的基片放在垫片上，覆盖了基底空腔；

（3）在基片上制作电容式微机电超声传感器；

（4）弯曲传感器，至所需的弯曲度。

15.根据权利要求14所述的带弯曲聚焦的电容式微机电超声传感器的制作方法，其特征为还包括：

（5）在传感器下面加入填充材料或制作隆起的支撑块来支撑传感器的步骤。

16.根据权利要求14所述的带弯曲聚焦的电容式微机电超声传感器的制作方法，其特征为，上述基底采用硅片或石英片制成。

17.根据权利要求14所述的带弯曲聚焦的电容式微机电超声传感器的制作方法，其特征为，上述基片是硅片或用SOI硅片，并在其上制作超声传感器。

18.根据权利要求14所述的带弯曲聚焦的电容式微机电超声传感器的制作方法，其特征为，上述步骤（4）中弯曲传感器时可以直接加力弯曲，也可以用空腔和外界的气压差来弯曲。