[发明专利]一种太阳电池用硅片表面腐蚀生成多孔硅的方法无效
| 申请号： | 201210001361.9 | 申请日： | 2012-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN102543711A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 汪雷;谷硕实;李东升;杨德仁;王谊;景超 | 申请（专利权）人： | 浙江大学;镇江大成新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳电池 硅片 表面 腐蚀 生成 多孔 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种太阳电池用硅片表面腐蚀生成多孔硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)采用清洗液清洗硅片；
(2)将洗净的硅片放入NH4F腐蚀溶液中，在波长为365～400nm的紫外光照射条件下，进行腐蚀反应，室温下腐蚀1～60min后，用去离子水冲洗硅片，干燥。
2.如权利要求1所述的太阳电池用硅片表面腐蚀生成多孔硅的方法，其特征在于，所述的硅片为p型硅、n型硅或本征型硅。
3.如权利要求1所述的太阳电池用硅片表面腐蚀生成多孔硅的方法，其特征在于，所述的清洗液为去离子水、丙酮、乙醇、氢氟酸中的一种或多种。
4.如权利要求1所述的太阳电池用硅片表面腐蚀生成多孔硅的方法，其特征在于，所述的NH4F腐蚀溶液的浓度为0.1～10mol/L。
5.如权利要求1所述的太阳电池用硅片表面腐蚀生成多孔硅的方法，其特征在于，所述的硅片在NH4F腐蚀溶液中进行腐蚀反应时伴随有超声振动。
6.如权利要求1所述的太阳电池用硅片表面腐蚀生成多孔硅的方法，其特征在于，所述的紫外光的光源距离腐蚀反应液面的垂直高度为10～500cm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
