[发明专利]一种利用高刚性薄膜应力提高压电基底性能的方法有效
| 申请号： | 201210001559.7 | 申请日： | 2012-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN102560398A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 刘卫国;刘欢;蔡长龙;高爱华;鲍帅 | 申请（专利权）人： | 西安工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;H03H9/02 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 黄秦芳 |
| 地址： | 710032*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 刚性 薄膜 应力 提高 压电 基底 性能 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种利用高刚性薄膜应力提高压电基底性能的方法，是在压电基底上沉积高刚性薄膜，采用磁控溅射镀膜方法控制高刚性薄膜应力，使压应力为5～10GPa。
2.根据权利要求1所述的一种利用高刚性薄膜应力提高压电基底性能的方法，其特征在于：所述压电基底是压电晶体。
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