[发明专利]太阳能电池窗口层ZnO纳米阵列的制备方法

权利要求书

1.一种用于太阳能电池窗口层ZnO纳米阵列的制备方法，其特征在于具有如下工艺过程和步骤：

a.玻璃衬底的清洗：采用掺杂氟的SnO₂导电玻璃（FTO）作为衬底，先将衬底用曲拉通水溶液、丙酮、无水乙醇、去离子水分别在超声条件下进行清洗;

b.ZnO纳米阵列晶种的制备：采用磁控溅射法制备晶种;

靶材为掺Al₂O₃的ZnO靶(AZO靶)，其中ZnO为98wt%，Al₂O₃为2wt%;

磁控溅射条件为：背景真空度为5×10^-4 Pa、工作气压为0.3 Pa、射频溅射功率为150 W、溅射时间为20 min;

用快速退火炉对晶种进行热处理，在N₂气氛中进行，温度为400 ℃，时间为20 min;

c.ZnO纳米阵列的生长：采用水热法生长ZnO纳米阵列;

生长溶液为0.05 mol/L硝酸锌的水溶液和0.05 mol/L六亚甲基四胺（HMT）的水溶液，将两种溶液各取10 mL，充分混合后加入到水热反应釜中，将制好晶种的FTO衬底也放入其中，置于92.5 ℃的烘箱中;

2小时后取出，用去离子水洗去表面附着的颗粒，最后用管式炉退火;

退火在N₂气氛中进行，温度为400 ℃，时间为30 min。

2.如权利要求1所述的一种用于太阳能电池窗口层ZnO纳米阵列的制备方法，其特征在于衬底基片为导电玻璃、柔性导电薄膜。