[发明专利]纳米金字塔陷光结构的近红外量子剪裁薄膜的制备方法

权利要求书

1.纳米金字塔陷光结构的近红外量子剪裁薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在Y₂O₃粉体中加入Bi₂O₃粉体和Yb₂O₃粉体，其中Bi₂O₃粉体摩尔分数为0.25～1％，Yb₂O₃粉体摩尔分数为0.5～5％，然后球磨混合，80℃烘干。将烘干后的粉体放置于磨具中，在15MPa下压10分钟，得到直径为2cm，厚度为5mm的圆片，将此圆片在1100℃-1300℃煅烧20-24h，制成陶瓷靶材；

(2)采用步骤(1)制成的Y₂O₃:Bi，Yb陶瓷靶材，利用激光脉冲沉积方法，制备薄膜材料：以硅片为衬底，通入O₂，衬底温度为500～800℃，靶基距为6～8cm，工作气压为3～7Pa，激光能量为200～400mJ/脉冲。

2.按照权利要求1所述的纳米金字塔陷光结构的近红外量子剪裁薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)衬底温度为700℃，靶基距8cm，工作气压为5Pa，激光能量为350mJ/脉冲。