[发明专利]利用全内反射多边形谐振腔选模的半导体激光器有效
| 申请号： | 201210002902.X | 申请日： | 2012-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN102545043A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 武林;王磊;郭山溧;何建军 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 利用 反射 多边形 谐振腔 半导体激光器 | ||
1.一种利用全内反射多边形谐振腔选模的半导体激光器，其特征在于：包括多边形谐振腔、有源FP谐振腔(2)和耦合器(3)；多边形谐振腔的所有顶点处均为深刻蚀全内反射面，耦合器(3)的第一端口(31)及第二端口(32)串接在多边形谐振腔靠近有源FP谐振腔(2)的一条边中，耦合器(3)的第三端口(33)和第四端口(34) 串接在有源FP谐振腔(2)中，沿有源FP谐振腔(2)方向，多边形谐振腔中对称设有波长调谐区，多边形谐振腔设置在有源FP谐振腔(2)的一侧。
2.根据权利要求1所述的一种利用全内反射多边形谐振腔选模的半导体激光器，其特征在于：所述有源FP谐振腔(2)中远离耦合器(3)的部分设有有源增益区(21)；多边形谐振腔中选取远离耦合器(3)的部分对称设置第一波长调谐区，第一波长调谐区的长度占多边形谐振腔周长的比例与有源增益区(21)长度占有源FP谐振腔(2)总长度的比例相等；或者多边形谐振腔中选取远离耦合器(3)的部分对称设置第二波长调谐区，第二波长调谐区的长度占多边形谐振腔周长的比例为30%~70%；耦合器(3)、有源FP谐振腔(2)中靠近耦合器(3)的部分和多边形谐振腔靠近耦合器的部分一起作为第三波长调谐区。
3.根据权利要求1所述的一种利用全内反射多边形谐振腔选模的半导体激光器，其特征在于：所述的多边形谐振腔与有源FP谐振腔(2)长度差为2%～25% 。
4.一种利用全内反射多边形谐振腔选模的半导体激光器，其特征在于：包括两个多边形谐振腔、有源FP谐振腔(2)和两个耦合器(5、5’)；两个多边形谐振腔结构相同，多边形谐振腔的所有顶点处均为深刻蚀全内反射面；第一耦合器(5)的第一端口(51)及第二端口(52)串接在第一多边形谐振腔靠近有源FP谐振腔(2)的一条边中，第一耦合器(5)的第三端口(53)和第四端口(54)串接在有源FP谐振腔(2)中；第二耦合器(5’)的第一端口(51’)及第二端口(52’)串接在第二多边形谐振腔靠近有源FP谐振腔(2)的一条边中，第二耦合器(5’)的第三端口(53’)和第四端口(54’)串接在有源FP谐振腔(2)中；沿有源FP谐振腔(2)方向，第一多边形谐振腔中远离第一耦合器(5)对称设有第五波长调谐区，同样第二多边形谐振腔中也远离第二耦合器(5’)对称设有第六波长调谐区；第一多边形谐振腔与第二多边形谐振腔分别设置在有源FP谐振腔(2)的两侧。
5.根据权利要求4所述一种利用全内反射多边形谐振腔选模的半导体激光器，其特征在于：所述的第一多边形谐振腔与第二多边形谐振腔的周长相差为10%~40%。
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