[发明专利]半导体封装件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种半导体封装件及其制造方法，且特别是有关于一种以多道切割工艺完成的半导体封装件及其制造方法。

背景技术

传统的半导体封装件包括基板、封胶及芯片，其中芯片设于基板的表面上，而封胶覆盖基板的表面且包覆芯片。

然而，由于封胶与基板的材质不同，故其热膨胀系数差异相当大。因此，在封胶形成后，导致半导体封装件的翘曲量甚大，而增加后续植球的难度。

发明内容

本发明有关于一种半导体封装件及其制造方法，半导体封装件的翘曲量小，有助于提升植球的制造性。

根据本发明的一实施例，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一基板、一半导体芯片、一封装体及数个焊球。基板具有一侧面及相对的一上表面与一下表面。半导体芯片设于基板的上表面上。封装体包覆半导体芯片且具有一凹陷部及一上表面，凹陷部相对基板的侧面往凹陷且从封装体的上表面往基板的方向延伸一距离，此距离至多等于封装体的厚度，其中凹陷部与基板的侧面于不同切割工艺中形成。焊球形成于基板的下表面上。

根据本发明的另一实施例，提出一种半导体封装件的制造方法。制造方法包括以下步骤。提供一基板，具有相对的一上表面与一下表面；设置一半导体芯片于基板的上表面上；形成一封装体包覆半导体芯片，其中封装体具有一上表面；于封装体中切割出一凹陷部，其中凹陷部从封装体的上表面往基板的方向延伸一距离，此距离小于封装体的厚度；形成数个焊球于基板的下表面上；以及，对应凹陷部的位置，形成一切割道经过封装体及基板，以切断封装体及基板，其中切割道的宽度小于凹陷部的宽度。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下：

附图说明

图1A绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的外观图。

图1B绘示图1A中沿方向1B-1B’的剖面图。

图2A至2E绘示图1A的半导体封装件的制造过程图。

主要元件符号说明：

100：半导体封装件

100′：封装结构

110：基板

110b：下表面

110s、140s：侧面

110u、140u：上表面

111：导电通孔

112：线路层

120：焊球

130：半导体芯片

140：封装体

141b：底面

141：凹陷部

141s：侧壁

142：一部分

150：焊线

160：载板160

161：黏贴层

H1、H2、H3：距离

P：切割道

S1、S2：刀具

T1、T2：厚度

W1、W2：宽度

具体实施方式

请参照图1A，其绘示依照本发明一实施例的半导体封装件的外观图。

半导体封装件100包括基板110、数个焊球120、半导体芯片130、封装体140及至少一焊线150(图1B)。

请参照图1B，其绘示图1A中沿方向1B-1B’的剖面图。

基板110例如是硅晶圆，其具有侧面110s及相对的上表面110u与下表面110b，其中，侧面110s采用刀具或激光切割形成。基板110可包括至少一导电通孔111及至少一线路层112。导电通孔111从基板110的上表面110u延伸至下表面110b，而线路层112延伸于基板110的上表面110u，并连接于导电通孔111。

基板110可增加半导体封装件100的整体强度，以降低半导体封装件100的翘曲量。

如图1B所示，焊球120形成于基板110的下表面110b上，且形成于对应的导电通孔111上。

如图1B所示，半导体芯片130设于基板110的上表面110u上。本实施例中，半导体芯片130以朝上方位(face-up)设于基板110上，焊线150连接半导体芯片130与基板110的线路层112，使半导体芯片130电性连接于焊球120。

另一实施例中，虽然图未绘示，半导体芯片130以朝下方位(face-down)设于基板110上，半导体芯片130包括至少一焊球，半导体芯片130以焊球连接于基板110。又一实施例中，虽然图未绘示，然数个半导体芯片130可上下堆迭在一起，或边靠边(side-by-side)配置于基板110上。