[发明专利]介电薄膜形成用组合物、介电薄膜的形成方法及介电薄膜

权利要求书

1.一种介电薄膜形成用组合物，其特征在于，为用于形成呈通式：Ca_(4-3x)Cu_3xTi₄O₁₂所示的复合金属氧化物形态的薄膜的液状介电薄膜形成用组合物，式中，0.5≤x≤1.1，

由用于构成所述复合金属氧化物的原料以提供上述通式所示的金属原子比的比例溶解于有机溶剂中的有机金属化合物溶液构成，所述有机溶剂以具有通式：C_nH_2n+1COOH所示的直链或者1条或2条以上侧链的羧酸为主成分，其中，n为2～6的整数。

2.如权利要求1所述的介电薄膜形成用组合物，其中，

用于构成所述复合金属氧化物的原料为有机基团通过其氧原子或氮原子与金属元素键合的化合物。

3.如权利要求1或2所述的介电薄膜形成用组合物，其中，

用于构成所述复合金属氧化物的原料为选自金属醇盐、金属二醇络合物、金属三元醇络合物、金属羧酸盐、金属β-二酮络合物、金属β-二酮酯络合物、金属β-亚氨基酮络合物及金属氨基络合物中的1种或2种以上。

4.如权利要求1所述的介电薄膜形成用组合物，其中，

相对于所述组合物中的总量1摩尔，以3摩尔以下的比例进一步含有选自β-二酮、β-酮酸、β-酮酯、含氧酸、二醇、三元醇、高级羧酸、烷醇胺及多元胺中的1种或2种以上的稳定剂。

5.如权利要求1所述的介电薄膜形成用组合物，其中，

作为所述有机溶剂的主成分的羧酸为丙酸、正丁酸、异丁酸、正戊酸、异戊酸、2-甲基丁酸、特戊酸、正己酸、2-乙基丁酸、2，2-二甲基丁酸、3，3-二甲基丁酸、2，3-二甲基丁酸、3-甲基戊酸、4-甲基戊酸、正庚酸、2-甲基己酸、3-甲基己酸、4-甲基己酸、5-甲基己酸、2-乙基戊酸、3-乙基戊酸、4-乙基戊酸、2，2-二甲基戊酸、3，3-二甲基戊酸、4，4-二甲基戊酸、2，3-二甲基戊酸、2，4-二甲基戊酸、3，4-二甲基戊酸、2，2，3-三甲基丁酸或2，3，3-三甲基丁酸。

6.如权利要求1所述的介电薄膜形成用组合物，其中，

Ca源或Cu源中的至少一种为醋酸盐。

7.如权利要求1所述的介电薄膜形成用组合物，其中，

Ca源或Cu源中的至少一种为环烷酸盐。

8.如权利要求1所述的介电薄膜形成用组合物，其中，

Ti源为四异丙氧基钛。

9.一种介电薄膜的形成方法，其特征在于，

将权利要求1至8中任一项所述的介电薄膜形成用组合物涂布于耐热基板上，进行一次在空气中、氧化气氛中或含水蒸气气氛中加热的工序或者重复进行该工序直到获得所希望厚度的膜，至少在最后工序中的加热中或加热后以结晶化温度以上的温度烧成该膜。

10.一种介电薄膜，该介电薄膜通过权利要求9所述的方法形成。

11.一种具有权利要求10所述的介电薄膜的薄膜电容器、层叠薄膜电容器、集成无源器件、DRAM存储器用电容器、层叠电容器、晶体管的栅极绝缘体或LC噪声滤波器元件的复合电子组件。