[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在衬底上设置的半导体层；

通过氧化所述半导体层的一部分形成的绝缘膜；和

在所述绝缘膜上设置的电极，

其中所述绝缘膜包括氧化镓、或者氧化镓和氧化铟。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘膜还包括氧化铝。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体层包括氮化物半导体。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述半导体层包括选自Ga、Al和In中的至少一种元素的氮化物。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

使所述半导体层的一部分与超临界水或者在高于100℃且700℃以下的温度下的水接触，以形成所述绝缘膜。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：设置为与包括于所述半导体层中的第一半导体层和第二半导体层中的至少之一接触的源电极和漏电极。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述第一半导体层包括GaN。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述第二半导体层包括AlGaN。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘膜与所述第一半导体层接触。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

包括绝缘体并设置于所述半导体层上的保护膜。

11.一种电子设备，包括：

输入电路；

输出电路；和

设置于所述输入电路和所述输出电路之间的半导体器件，所述半导体器件包括：

在衬底上设置的半导体层；

通过氧化所述半导体层的一部分形成的绝缘膜；和

在所述绝缘膜上设置的电极，

其中所述绝缘膜包括氧化镓、或者氧化镓和氧化铟。

12.根据权利要求11所述的电子设备，其中所述电子设备包括电源装置和放大器中的一种。

13.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成半导体层；

在所述半导体层上形成在其中待形成绝缘膜的区域中具有开口的掩模；

通过氧化所述半导体层的在所述开口中的部分形成所述绝缘膜；和

在所述绝缘膜上形成电极，

其中所述半导体层包括氮化物半导体。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述半导体层包括选自Ga、Al和In中的至少一种元素的氮化物。

15.根据权利要求13所述的方法，还包括：

使在所述掩模的所述开口中暴露出的所述半导体层与超临界水或在高于100℃的温度下的水接触。

16.根据权利要求13所述的方法，其中所述绝缘膜在700℃以下的温度下形成。

17.根据权利要求13所述的方法，还包括：

在所述半导体层上形成氮化硅膜；和

在所述氮化硅膜中形成开口。

18.根据权利要求13所述的方法，还包括：

形成第一半导体层；

在所述第一半导体层上形成第二半导体层；和

形成源电极和漏电极，以与包括于所述半导体层中的第一半导体层和第二半导体层中的至少之一接触。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述源电极和所述漏电极在形成所述绝缘膜之后形成。

20.根据权利要求18所述的方法，还包括：

热处理所述源电极和所述漏电极以产生欧姆接触，

形成所述绝缘膜时的温度低于热处理所述源电极和所述漏电极时的温度。