[发明专利]具有高导通n型欧姆接触的发光二极管及制作方法

权利要求书

1.具有高导通n型欧姆接触的发光二极管外延结构的制造方法，包括以下步骤：

提供一生长衬底；

在生长衬底上形成一高掺杂n型欧姆接触缓冲层，其电子浓度大于或等于1×10²⁰cm^-3；

在n型欧姆接触缓冲层上外延生长发光外延层，其至下而上至少包括：n型半导体层 、活性层、p型半导体层。

2.根据权利要求1所述的发光二极管外延结构的制造方法，其特征在于：所述n型欧姆接触缓冲层通过外延生长形成，其材料为Al_cIn_dGa_1-c-dN，其中0≦c<1，0≦d<1，c+d<1。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管外延结构的制造方法，其特征在于：所述n型欧姆接触缓冲层通过离子注入法注入离子形成高掺杂，其掺杂浓度大于或等于1×10²⁰cm^-3。

4.根据权利要求1或2或3所述的发光二极管外延结构的制造方法，其特征在于：所述n型欧姆接触缓冲层的能隙小于或等于3.4eV。

5.根据权利要求1或2或3或4所述的发光二极管外延结构的制造方法，其特征在于：所述n型欧姆接触缓冲层的厚度为10埃～5000埃。

6.具有高导通n型欧姆接触的发光二极管外延结构，包括：

一生长衬底；

一掺杂n型欧姆接触缓冲层，位于该生长衬底之上，其电子浓度大于或等于1×10²⁰cm^-3；

一发光外延层，形成于n型欧姆接触缓冲层之上，其自下而上包含n型半导体层、活性层、P型半导体层。

7. 根据权利要求6所述的发光二极管外延结构，其特征在于：所述n型欧姆接触缓冲层由Al_cIn_dGa_1-c-dN构成，其中0≦c<1，0≦d<1，c+d<1。

8.根据权利要求6或7所述的发光二极管外延结构，其特征在于：所述n型欧姆接触缓冲层的能隙小于或等于3.4eV。

9.根据权利要求6或7或8所述的发光二极管外延结构，其特征在于：所述n型欧姆接触缓冲层的厚度为10埃～5000埃。

10.根据权利要求6或7或8或9所述的发光二极管外延结构，其特征在于：n型欧姆接触缓冲层为硅掺杂氮化物，其掺杂浓度大于或等于1×10²⁰cm^-3。

11.根据权利要求6或7或8或9或10所述的发光二极管外延结构，其特征在于：还包括渐变式硅掺杂n型氮化物半导体层，其位于n型欧姆接触缓冲层与发光外延层之间。

12.具有高导通n型欧姆接触的发光二极管芯片的制作方法，包括以下步骤：

提供一生长衬底；

在生长衬底上形成一掺杂n型欧姆接触缓冲层，其电子浓度大于或等于1×10²⁰cm^-3；

在n型欧姆接触缓冲层上外延生长发光外延层，其至下而上至少包括：n型半导体层 、活性层、p型半导体层；

提供一散热基板，将发光外延层与导电基板连结；

剥离生长衬底，露出n型欧姆接触缓冲层表面；

在导电基板上形成第一电极，在n型欧姆接触缓冲层表面之上形成第二电极。

13.根据权利要求11所述的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于：所述所述n型欧姆接触缓冲层通过低温外延生长形成，其材料为Al_cIn_dGa_1-c-dN，其中0≦c<1，0≦d<1，c+d<1。

14.根据权利要求11或12所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述n型欧姆接触缓冲层的能隙小于或等于3.4eV。

15.根据权利要求11或12或13所述的发光二极管芯片的制造方法，其特征在于：所述n型欧姆接触缓冲层通过离子注入法注入离子形成高掺杂，其掺杂浓度大于或等于1×10²⁰cm^-3。