[发明专利]聚焦环和具有该聚焦环的基板处理装置

权利要求书

1.一种聚焦环，其包围配置于基板处理装置的处理室内的基板的边缘，该聚焦环的特征在于，包括：

与所述基板邻接地配置且被冷却的内侧聚焦环；

包围该内侧聚焦环且不被冷却的外侧聚焦环；和

配置于所述内侧聚焦环和所述外侧聚焦环的缝隙的石英部件。

2.如权利要求1所述的聚焦环，其特征在于：

所述石英部件暴露于所述处理室内的产生等离子体的处理空间。

3.如权利要求1或2所述的聚焦环，其特征在于：

在所述处理室内配置至少载置所述基板和所述内侧聚焦环的载置台，

所述石英部件介于所述内侧聚焦环和所述载置台之间。

4.一种基板处理装置，其包括收容基板的处理室和包围配置于所述处理室内的基板的边缘的聚焦环，该基板处理装置的特征在于：

所述聚焦环包括：与所述基板邻接地配置且被冷却的内侧聚焦环；包围该内侧聚焦环且不被冷却的外侧聚焦环；和配置于所述内侧聚焦环和所述外侧聚焦环的缝隙的石英部件。

5.一种基板处理装置，其包括收容基板的处理室、包围配置于所述处理室内的基板的边缘的聚焦环和载置所述基板和所述聚焦环的载置台，该基板处理装置的特征在于：

所述聚焦环包括：与所述基板邻接地配置且被冷却的内侧聚焦环；和包围该内侧聚焦环且不被冷却的外侧聚焦环，

所述载置台被冷却，成为比所述内侧聚焦环更低温，

在所述内侧聚焦环和所述载置台的缝隙配置有石英部件。

6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于：

所述石英部件介于所述载置台中载置所述内侧聚焦环的载置面和所述内侧聚焦环之间。

7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于：

所述石英部件被延伸而配置于所述内侧聚焦环和所述外侧聚焦环的缝隙。

8.一种基板处理装置，其包括收容基板的处理室、包围配置于所述处理室内的基板的边缘的聚焦环、载置所述基板和所述聚焦环的载置台和对所述聚焦环与所述载置台的缝隙供给气体的气体供给装置，该基板处理装置的特征在于：

所述聚焦环包括：与所述基板邻接地配置且被冷却的内侧聚焦环；和包围该内侧聚焦环且不被冷却的外侧聚焦环，

所述气体供给装置，对所述内侧聚焦环与所述外侧聚焦环的缝隙、和所述内侧聚焦环与所述载置台的缝隙中的至少一个供给气体。

9.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于：

所述气体供给装置供给的气体是氧气。

10.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于：

所述气体供给装置供给的气体是惰性气体。

11.如权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于：

所述气体供给装置供给的气体是处理气体。

12.一种聚焦环，其包围配置于基板处理装置的处理室内的基板的边缘，该聚焦环的特征在于，包括：

与所述基板邻接地配置且被冷却的内侧聚焦环；

和包围该内侧聚焦环且不被冷却的外侧聚焦环，

所述内侧聚焦环具有暴露于所述处理室内的处理空间且以覆盖所述外侧聚焦环的一部分的方式突出的薄板状的突出部。

13.如权利要求12所述的聚焦环，其特征在于：

所述内侧聚焦环具有的突出部的厚度是1.7mm以上且2.0mm以下。

14.一种基板处理装置，其包括收容基板的处理室和包围配置于所述处理室内的基板的边缘的聚焦环，该基板处理装置的特征在于：

所述聚焦环包括：与所述基板邻接地配置且被冷却的内侧聚焦环；和包围该内侧聚焦环且不被冷却的外侧聚焦环，

所述内侧聚焦环具有暴露于所述处理室内的处理空间且以覆盖所述外侧聚焦环的一部分的方式突出的薄板状的突出部。