[发明专利]一种半导体芯片的加工方法有效
| 申请号： | 201210004216.6 | 申请日： | 2012-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN102522329A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 薛列龙 | 申请（专利权）人： | 薛列龙 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 225000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 加工 方法 | ||
1.一种半导体芯片的加工方法，包括以下步骤：对晶片进行扩散、设置氧化层和在氧化层上光刻窗口的工序；光刻窗口后，所述氧化层在晶片表面呈网格状；其特征在于，然后按以下步骤加工：
1）、设置电极层；往所述窗口内晶片表面镀覆金属电极层；
2）、一次酸蚀；采用氢氟酸去除晶片表面的网格状氧化层，在所述金属电极层之间形成网格状沟槽；
3）、二次酸蚀；沿网格状沟槽往下注入混酸，腐蚀晶片本体，直至蚀透晶片本体，使得晶片本体分裂为若干芯片；制得。
2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片的加工方法，其特征在于，在设置电极层后，随即还包括设置焊料层工序；在所述金属电极层上预焊金属焊料，使金属焊料固定连接在所述金属电极层和窗口侧壁构成的范围内。
3.根据权利要求1或2所述的一种半导体芯片的加工方法，其特征在于，在所述一次酸蚀工序之前还有贴膜工序，所述贴膜工序为在晶片底面贴覆一层粘结膜片。
4.根据权利要求1或2所述的一种半导体芯片的加工方法，其特征在于，在所述一次酸蚀工序之后还有贴膜工序，所述贴膜工序为在晶片底面贴覆一层粘结膜片。
5.根据权利要求1或2所述的一种半导体芯片的加工方法，其特征在于，所述光刻窗口的形状为圆形或角部带圆弧倒角的正多边形。
6.根据权利要求1所述的一种半导体芯片的加工方法，其特征在于，所述设置氧化层和在氧化层上光刻窗口的工序，以及所述设置电极层工序在所述晶片的双面进行。
7.根据权利要求6所述的一种半导体芯片的加工方法，其特征在于，在设置电极层后，随即还包括设置焊料层工序；在所述金属电极层上预焊金属焊料，使金属焊料固定连接在所述金属电极层和窗口侧壁构成的范围内。
8.根据权利要求6或7所述的一种半导体芯片的加工方法，其特征在于，在所述一次酸蚀工序之前还有贴膜工序，所述贴膜工序为在晶片底面贴覆一层粘结膜片。
9.根据权利要求6或7所述的一种半导体芯片的加工方法，其特征在于，在所述一次酸蚀工序之后还有贴膜工序，所述贴膜工序为在晶片底面贴覆一层粘结膜片。
10.根据权利要求6或7所述的一种半导体芯片的加工方法，其特征在于，所述光刻窗口的形状为圆形或正多边形。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
