[发明专利]放射线检测装置、放射线检测系统和该装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及应用于医疗图像诊断装置、非破坏性检查装置或使用放射线的分析装置等的放射线检测装置和放射线检测系统。

背景技术

近年来，薄膜半导体制造技术被用于图像拾取装置和放射线成像装置的制造。特别地，薄膜半导体制造技术被用于制造包括诸如TFT(薄膜晶体管)的开关器件和诸如光电转换元件的转换元件的图像拾取装置和放射线成像装置。日本专利公开No.2001-330677提出在从X射线源发射的X射线的所照射的侧包括至少具有多个光电转换元件的传感器基体部件并包括设置在X射线所照射的侧的相对侧的荧光体(scintillator)的放射线检测器。在日本专利公开No.2001-330677中，还公开了传感器基板的整个表面或仅仅传感器基板上的光电转换器通过蚀刻被薄化、由此禁止放射线被吸收到传感器基板中并改善受光灵敏度和MTF(调制传递函数(Modulation Transfer Function))的配置。

在日本专利公开No.2001-330677中，如其描述的那样通过仅蚀刻传感器基板上的光电转换器改善受光灵敏度和MTF。但是，根本没有考虑放射线检测装置的强度，并由此存在改善的余地。并且，日本专利公开No.2001-330677中的光电转换器没有被清楚地描述。

发明内容

本发明提供包括从放射线入射的侧起依次布置的基板、光电转换元件和荧光体的高分辨率、高强度的放射线检测装置。

本发明提供一种放射线检测装置，该放射线检测装置包括：被配置为将照射的放射线转换成可见放射线的荧光体；被配置为将由荧光体转换的可见放射线转换成电荷的多个光电转换元件；和具有上面布置荧光体和光电转换元件的第一表面和与第一表面相反的第二表面的基板，其中，基板、光电转换元件和荧光体从放射线检测装置的放射线入射的侧被依次布置，并且，第二表面包含布置于与布置光电转换元件的第一表面的区域相对的区域中的多个凹陷(depression)和位于多个凹陷之间的多个突起(projection)，其中，至少部分突起位于所述相对的区域中。

还提供一种放射线检测系统，该放射线检测系统包括上述的放射线检测装置；被配置为处理来自放射线检测装置的信号的信号处理单元；被配置为记录来自信号处理单元的信号的记录单元；被配置为显示来自信号处理单元的信号的显示单元；和被配置为传送来自信号处理单元的信号的传送处理单元。

本发明还提供一种放射线检测装置的制造方法，该放射线检测装置包括包含具有被配置为将通过荧光体从照射的放射线转换的可见放射线转换成电荷的多个光电转换元件的第一表面和与第一表面相反的第二表面的基板，其中，从放射线检测装置的放射线入射的侧起依次布置基板、光电转换元件和荧光体。该方法包括：通过从基板的第二表面侧向基板施加选择性薄化处理在第二表面中形成多个凹陷和位于多个凹陷之间的多个突起。在与布置多个光电转换元件的第一表面的区域相对的区域中或布置多个光电转换元件的第一表面的区域中形成多个凹陷。在所述相对的区域中形成位于多个凹陷之间的至少部分突起。

因此，本发明提供从放射线入射的侧起依次具有基板、光电转换元件和荧光体的高分辨率、高强度的放射线检测装置。

从参照附图对示例性实施例的以下描述，本发明的其它特征将变得清晰。

附图说明

图1A是根据本发明的放射线检测装置的平面图。

图1B是根据本发明的放射线检测装置的截面图。

图1C是根据本发明的放射线检测装置的等效电路图。

图2A是根据本发明的第一实施例的放射线检测装置的放大平面图。

图2B是沿图2A中的线IIB-IIB切取的截面图。

图2C是沿图2A中的线IIC-IIC切取的截面图。

图3A是沿图2A中的线IIIA-IIIA切取的根据本发明的第一实施例的另一例子的放射线检测装置的截面图。

图3B是沿图2A中的线IIIB-IIIB切取的截面图。

图4A和图4B是与图2A中的线IV-IV对应的用于解释根据本发明的第一实施例的放射线检测装置的制造方法的截面图。

图5A和图5B是与图2A中的线V-V对应的用于解释根据本发明的第一实施例的放射线检测装置的另一制造方法的截面图。

图6A是根据本发明的第一实施例的另一放射线检测装置的放大平面图。

图6B是沿图6A中的线VIB-VIB切取的截面图。