[发明专利]同平面传感器与制作方法

权利要求书

1.一种同平面传感器，其特征在于，包含：

一固定结构，此固定结构包括彼此连接的固定臂与固定端，该固定臂具有支撑端和悬浮端，支撑端与固定端连接，悬浮端为悬浮；以及

一移动结构，此移动结构至少包括本体、延伸本体与延伸臂，本体和延伸本体通过延伸臂而彼此连接。

2.如权利要求1所述的同平面传感器，其中，该移动结构还包含连接部与固定部，本体经由连接部而与固定部连接，且该固定部与固定结构同固定于一基板。

3.如权利要求2所述的同平面传感器，其中，该连接部为弹簧。

4.如权利要求3所述的同平面传感器，其中，该弹簧在其较长的方向上具有至少一个曲折处。

5.如权利要求1所述的同平面传感器，其中，该本体与延伸本体至少其中之一具有开孔。

6.如权利要求1所述的同平面传感器，其中，该本体纵横任一方向上的连续长度小于一预设长度。

7.如权利要求1所述的同平面传感器，其中，该移动结构包含有多个本体与多个延伸本体，经由延伸臂而连接成一体。

8.一种同平面传感器的制作方法，该同平面传感器包含一固定结构与一移动结构，固定结构包括彼此连接的固定臂与固定端，且移动结构至少包括彼此连接的本体与延伸臂，其特征在于，该方法包含：

提供一个基板，在该基板上已沉积至少一层接触层与至少一层金属层，且已通过该至少一层接触层与至少一层金属层而形成该固定结构的固定端，此固定端为第一待蚀刻区域所围绕；

沉积并定义金属层与通道层，以形成该固定结构的固定臂，及该移动结构的本体与延伸臂，所述固定结构的固定臂，及移动结构的本体与延伸臂，为第二待蚀刻区域所围绕；以及

去除该第一和第二待蚀刻区域。

9.如权利要求8所述的同平面传感器制作方法，其中，该第一和第二待蚀刻区域以氧化物制作。

10.如权利要求8所述的同平面传感器制作方法，其中，该去除该第一和第二待蚀刻区域的步骤包含：使用氢氟酸蒸气蚀刻或缓冲氧化物蚀刻方式一次去除第一和第二待蚀刻区域。

11.如权利要求8所述的同平面传感器制作方法，其中，该去除该第一和第二待蚀刻区域的步骤包含：使用异向性反应式离子蚀刻方式去除第二待蚀刻区域，再使用氢氟酸蒸气蚀刻或缓冲氧化物蚀刻方式去除第一待蚀刻区域。

12.如权利要求8所述的同平面传感器制作方法，其中，该去除该第一和第二待蚀刻区域的步骤包含：

沉积一层防护层；

沉积一层硬屏蔽；

定义该硬屏蔽与防护层的图案；以及

蚀刻该第一和第二待蚀刻区域。

13.如权利要求12所述的同平面传感器制作方法，其中，该去除该第一和第二待蚀刻区域的步骤还包含：在定义该硬屏蔽与防护层的图案后，沉积一层屏蔽。

14.如权利要求8所述的同平面传感器制作方法，其中，该接触层的材料包括钨。

15.如权利要求14所述的同平面传感器制作方法，其中，该接触层的沉积步骤包括：先沉积一层多晶硅或氮化层，再沉积钨。

16.如权利要求8所述的同平面传感器制作方法，其中，该通道层的材料包括钨。

17.如权利要求16所述的同平面传感器制作方法，其中，该通道层的沉积步骤包括：先沉积一层多晶硅或氮化层，再沉积钨。