[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，其特征在于，

包括：

准备工序，以液体状态准备要向基板供给的凝固对象液体，

凝固体形成工序，将所述准备工序中准备的所述凝固对象液体经由空间供给至所述基板，在所述基板上形成所述凝固对象液体的凝固体，

除去工序，除去所述基板上的所述凝固对象液体的凝固体；

所述凝固对象液体借助从所述准备工序到所述凝固体形成工序为止所受到的外部刺激而凝固。

2.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述凝固体形成工序中，供给至所述基板的所述凝固对象液体处于过冷却状态。

3.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，还包括凝固体冷却工序，在所述凝固体冷却工序中，向所述基板上的所述凝固对象液体的凝固体供给温度比所述凝固对象液体的凝固点低的流体，来对所述基板上的所述凝固对象液体的凝固体进行冷却。

4.如权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，在所述凝固体冷却工序中所供给的流体为具有比所述凝固对象液体的凝固点低的凝固点的冷却液。

5.如权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，所述凝固体形成工序还包括用于冷却所述基板的基板冷却工序。

6.如权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，所述基板冷却工序是向所述基板的背面喷出冷媒的工序。

7.如权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，所述基板冷却工序，是在所述凝固体形成工序之前向所述基板的表面喷出冷媒的工序。

8.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其特征在于，在所述凝固体形成工序中，使所述基板上的所述凝固对象液体的凝固体的厚度在所述基板的面内改变。

9.如权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，在所述凝固体形成工序中，通过在所述基板的面内改变供给至所述基板上的所述凝固对象液体的量，来改变所述基板上的所述凝固体的厚度。

10.如权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，在所述凝固体形成工序中，使所述基板的面内的所述凝固对象液体的凝固体的厚度，从所述基板的中心部向周缘部逐渐变厚。

11.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述凝固体形成工序中，向所述基板供给具有比常温高的凝固点的凝固对象液体。

12.一种基板处理装置，其特征在于，

具有：

凝固体形成装置，其从嘴喷出液体状态的凝固对象液体来将该凝固对象液体供给至基板，在所述基板上形成所述凝固对象液体的凝固体，

除去装置，其除去所述基板上的所述凝固对象液体的凝固体；

所述凝固对象液体，借助从所述嘴喷出起落在所述基板上为止的过程以及置于所述基板上的过程中的至少一个过程中所受到的外部刺激而凝固。

13.如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，所述凝固体形成装置向所述基板的表面供给具有比常温高的凝固点的凝固对象液体。

14.如权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，所述凝固体形成装置将所述凝固对象液体加热至所述凝固对象液体的凝固点以上的温度，并供给至所述基板的表面。

15.如权利要求13或14所述的基板处理装置，其特征在于，还具有凝固促进装置，所述凝固促进装置向所述基板供给温度比所述凝固对象液体的凝固点低的冷却流体，来促进所述凝固对象液体的凝固。

16.如权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，所述凝固促进装置具有第一凝固促进部，所述第一凝固促进部向已供给了所述凝固对象液体的所述基板的表面供给所述冷却流体。

17.如权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，所述凝固促进装置具有第二凝固促进部，所述第二凝固促进部向已供给了所述凝固对象液体的所述基板的背面供给所述冷却流体。

18.如权利要求13或14所述的基板处理装置，其特征在于，在将所述凝固对象液体供给至所述基板的表面之后，使所述凝固对象液体随着规定时间的经过而凝固，然后由所述除去装置除去凝固体。