[发明专利]环境敏感电子元件的封装体

权利要求书

1.一种环境敏感电子元件的封装体，包括：

第一基板；

第二基板，配置于该第一基板的上方；

环境敏感电子元件，配置于该第一基板上，且位于该第一基板与该第二基板之间，该环境敏感电子元件包括：

阳极层，配置于该第一基板上；

空穴注入层，配置于该阳极层上；

空穴传输层，配置于该空穴注入层上；

有机发光层，配置于该空穴传输层上；

阴极层，配置于该有机发光层上；以及

电子注入层，配置于该有机发光层与该阴极层之间；

挠曲结构层，配置于该环境敏感电子元件上，且包括：

柔软层，配置于该阴极层上；

阻陷层，配置于该柔软层上，其中该阻陷层的材料与该电子注入层的材料相同；以及

保护层，配置于该柔软层上；以及

填充层，配置于该第一基板与该第二基板之间，且该填充层包覆该环境敏感电子元件与该挠曲结构层。

2.如权利要求1所述的环境敏感电子元件的封装体，其中该挠曲结构层的该阻陷层位于该保护层与该柔软层之间。

3.如权利要求2所述的环境敏感电子元件的封装体，还包括至少一辅助挠曲结构层，配置于该挠曲结构层上且位于该第二基板与该挠曲结构层之间，其中该辅助挠曲结构层包括辅助柔软层、辅助阻陷层以及辅助保护层，该辅助柔软层覆盖该保护层上，且该辅助阻陷层位于该辅助保护层与该辅助柔软层之间。

4.如权利要求1所述的环境敏感电子元件的封装体，其中该挠曲结构层的该保护层位于该阻陷层与该柔软层之间。

5.如权利要求4所述的环境敏感电子元件的封装体，还包括至少一辅助挠曲结构层，配置于该挠曲结构层上且位于该第二基板与该挠曲结构层之间，其中该辅助挠曲结构层包括辅助柔软层、辅助阻陷层以及辅助保护层，该辅助柔软层覆盖该阻陷层上，且该辅助保护层位于该辅助阻陷层与该辅助柔软层之间。

6.如权利要求1所述的环境敏感电子元件的封装体，其中该阻陷层的材料具有导电性与阻水性。

7.如权利要求6所述的环境敏感电子元件的封装体，其中该阻陷层的材料包括碱金属/碱土金属卤化物、碱金属/碱土金属氧化物、碱金属/碱土金属碳酸化合物或碱金属碳酸化合物。

8.如权利要求7所述的环境敏感电子元件的封装体，其中该碱金属/碱土金属卤化物包括氟化锂、氟化钠、氟化铯、氟化镁、氟化钙、氯化钠、氯化钾、氯化铷、氯化镁或氯化钙。

9.如权利要求7所述的环境敏感电子元件的封装体，其中该碱金属/碱土金属氧化物包括氧化锂、氧化铯、氧化镁、氧化钙、偏硼酸锂或氧化硅钾。

10.如权利要求7所述的环境敏感电子元件的封装体，其中该碱金属/碱土金属碳酸化合物包括碳酸锂、碳酸钠或碳酸铯。

11.如权利要求7所述的环境敏感电子元件的封装体，其中该碱金属碳酸化合物包括醋酸锂、醋酸钠、醋酸钾、醋酸铷或醋酸铯。

12.如权利要求1所述的环境敏感电子元件的封装体，其中该挠曲结构层的该柔软层的材料包括有机小分子材料、有机寡聚合物、寡聚合物与无机材料的混合物或有机小分子与无机材料的混合物。

13.如权利要求1所述的环境敏感电子元件的封装体，其中该挠曲结构层的该保护层的材料包括金属材料或无机材料。