[发明专利]有效减少孔显影缺陷的显影方法

权利要求书

1.一种有效减少孔显影缺陷的显影方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步、对涂敷有光刻胶的硅片进行表面活性剂润湿，使后续喷的显影液与光刻胶充分接触；

第二步、表面活性剂去除；

第三步、第一次显影，先将部分曝光处的光刻胶反应掉；

第四步、去除显影液和反应后的残渣；

第五步、第二次显影，与曝光处剩下的光刻胶进行充分的反应；

第六步、去除显影液和反应后的残渣；

第七步、第一次高速长时清洗，将大部分的显影液和残渣去除；

第八步、清洗液去除，去除混有显影液和残渣的清洗液；

第九步、第二次高速长时清洗，将残留的显影液和残渣都去掉；

第十步、清洗液去除，将硅片表面的清洗液全部去除。

2.如权利要求1所述的有效减少孔显影缺陷的显影方法，其特征在于，所述表面活性剂含有70％(重量百分比)的丙二醇甲醚和30％(重量百分比)的丙二醇甲醚醋酸酯。

3.如权利要求1所述的有效减少孔显影缺陷的显影方法，其特征在于，表面活性剂润湿时，硅片的转速在500-600rpm之间，喷洒时间为4-7S。

4.如权利要求1所述的有效减少孔显影缺陷的显影方法，其特征在于，表面活性剂去除时，硅片的转速在2000-3000rpm之间，时间为8-15S。

5.如权利要求1所述的有效减少孔显影缺陷的显影方法，其特征在于，第一次显影和第二次显影中，采用的显影液是质量百分比浓度为2.38％的四甲基氢氧化铵溶液，采用的喷嘴为直线移动喷嘴。

6.如权利要求1所述的有效减少孔显影缺陷的显影方法，其特征在于，第一次显影的时间为10-20S，第二次显影时间为8-15S。

7.如权利要求1所述的有效减少孔显影缺陷的显影方法，其特征在于，第一次显影和第二次显影时，硅片的转速均在2000-3000rpm之间，时间均为4-7S。

8.如权利要求1所述的有效减少孔显影缺陷的显影方法，其特征在于，两次清洗液去除时，硅片的转速均在2000-3000rpm之间。

9.如权利要求1所述的有效减少孔显影缺陷的显影方法，其特征在于，第一次高速长时清洗和第二次高速长时清洗时，硅片的转速均在1000-1500rpm之间，时间均为30-50S。

10.如权利要求1～9中任意一项所述的有效减少孔显影缺陷的显影方法，其特征在于，在第一次高速长时清洗前，先进行低速短时清洗，使光刻胶表面被水润湿后再进行第一次高速长时清洗。

11.如权利要求10所述的有效减少孔显影缺陷的显影方法，其特征在于，进行低速短时清洗时，硅片的转速在50-150rpm之间，时间为2-4S。