[发明专利]一种降低快闪存储器阈值电压分布范围的方法无效
申请号: | 201210006029.1 | 申请日: | 2012-01-10 |
公开(公告)号: | CN102568596A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 伍冬;潘立阳 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G11C16/34 | 分类号: | G11C16/34 |
代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 朱琨 |
地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 降低 闪存 阈值 电压 分布 范围 方法 | ||
1.一种降低快闪存储器阈值电压分布范围的方法,其特征在于,它包括以下步骤:
1)首先对快闪存储器的所有存储单元施加擦除脉冲,以降低快闪存储器的所有存储单元的阈值电压;
2)然后通过擦除验证操作来判断快闪存储器所有存储单元的阈值电压是否低于第一预设值Vr1,如果不是,需要再次对存储单元施加擦除脉冲,如果是,则说明所有存储单元的阈值电压已经低于第一预设值Vr1;
3)对存储单元施加软编程操作以提高存储单元的阈值电压,该软编程操作控制加到存储单元栅极的电压Vw大小满足如下条件:Vw-Vr1=Vstep,从而使得存储单元的阈值电压经过特定时间的编程操作后逐渐收敛到第二预设值Vr2,其中Vr1-Vr2=Vd,而Vd就是擦除操作后存储单元阈值电压的分布范围,通过调整控制Vstep的大小来控制Vd的大小,Vd随着Vstep的增加而减小。
2.根据权利要求1所述的一种降低快闪存储器阈值电压分布范围的方法,其特征在于,所述特定时间的范围为:100微秒到500微秒。
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