[发明专利]大截面导电铜包铝排的制造工艺无效

专利信息
申请号: 201210006541.6 申请日: 2012-01-11
公开(公告)号: CN102543306A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 叶飞;叶卫东;叶榛 申请(专利权)人: 张家港市盛天金属线有限公司
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00
代理公司: 张家港市高松专利事务所(普通合伙) 32209 代理人: 孙高
地址: 215600 江苏省苏州市张家*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 截面 导电 铜包铝排 制造 工艺
【说明书】:

技术领域

发明涉及铜包铝排的制造工艺,尤其涉及一种大截面导电铜包铝排的制造工艺。

背景技术

大截面铜包铝排通常是指横截面为300~1000mm2的铜包铝排,其中铝芯占75~85%,铜层占15~25%。

目前国内有企业采用“电镀法”或“套管法”等生产工艺来生产大截面铜包铝排。但是由于铜镀层太薄,轧制、拉伸困难,以及铜、铝界面结合不好等原因,不能满足使用要求。

国外采用大吨位挤压机,通过“静液挤压”“铜包铝锭”的工艺方法来生产大截面铜包铝排。该生产工艺通过液态介质给成形材料施加很高的静水压力促使其界面复合,且摩擦阻力极小的一种固态复合方法。这种生产工艺目前已经相当成熟,但是,该工艺所需的设备投资巨大,且工艺比较复杂,工艺流程较长,生产效率较低。所有这些都使得生产成本较大,从而导致了生产出来的大截面导电铜包铝排成品的价格较高。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是:提供一种投资小、工艺简单的大截面导电铜包铝排的制造工艺。

为解决上述问题,本发明采用的技术方案是:大截面导电铜包铝排的制造工艺,包括如下步骤:将经过刷光的大截面铝排用经过刷光的铜带进行连续包覆,并对包覆形成的合缝进行焊接,然后对铜包铝坯料进行拉伸,将拉伸之后的铜包铝坯料置于光亮退火炉中进行低温扩散退火,退火温度控制在300~350℃之间,退火时间控制在30~60min之间,将低温扩散退火后的铜包铝坯料进行减面率为5~10%的小变形量控制拉伸,得到大截面导电铜包铝排成品。

采用高频氩弧对包覆形成的合缝进行焊接。

所述包覆形成的合缝位于铝排短矩形边的一侧。

本发明的有益效果是:本发明的工艺过程较短、生产效率较高,而且相应的设备投资也不大,从而降低了生产成本,即降低了成品的价格,并且通过上述工艺过程,使铜带与铝排之间形成2~3um的铜铝界面结合层,既能满足界面冶金结合的要求,同时不会影响复合材料的再加工性能,大大提高了铜包铝排的质量,具有良好的发展前景。

具体实施方式

下面通过具体实施例对本发明大截面导电铜包铝排的制造工艺作进一步的详细描述。

实施例1

大截面导电铜包铝排的制造工艺,包括如下步骤:将经过刷光的大截面铝排用经过刷光的铜带进行连续包覆,并采用高频氩弧对包覆形成的合缝进行焊接,所述包覆形成的合缝位于铝排短矩形边的一侧。然后对铜包铝坯料进行拉伸,将拉伸之后的铜包铝坯料置于光亮退火炉中进行低温扩散退火,使铜带与铝排之间形成2~3um的铜铝界面结合层,既能满足界面冶金结合的要求,同时不会影响复合材料的再加工性能,退火温度控制在300℃,退火时间控制在60min,将低温扩散退火后的铜包铝坯料进行减面率为5%的小变形量控制拉伸,得到大截面导电铜包铝排成品。

实施例2

大截面导电铜包铝排的制造工艺,包括如下步骤:将经过刷光的大截面铝排用经过刷光的铜带进行连续包覆,并采用高频氩弧对包覆形成的合缝进行焊接,所述包覆形成的合缝位于铝排短矩形边的一侧。然后对铜包铝坯料进行拉伸,将拉伸之后的铜包铝坯料置于光亮退火炉中进行低温扩散退火,使铜带与铝排之间形成2~3um的铜铝界面结合层,既能满足界面冶金结合的要求,同时不会影响复合材料的再加工性能,退火温度控制在350℃,退火时间控制在30min,将低温扩散退火后的铜包铝坯料进行减面率为10%的小变形量控制拉伸,得到大截面导电铜包铝排成品。

实施例3

大截面导电铜包铝排的制造工艺,包括如下步骤:将经过刷光的大截面铝排用经过刷光的铜带进行连续包覆,并采用高频氩弧对包覆形成的合缝进行焊接,所述包覆形成的合缝位于铝排短矩形边的一侧。然后对铜包铝坯料进行拉伸,将拉伸之后的铜包铝坯料置于光亮退火炉中进行低温扩散退火,使铜带与铝排之间形成2~3um的铜铝界面结合层,既能满足界面冶金结合的要求,同时不会影响复合材料的再加工性能,退火温度控制在325℃,退火时间控制在45min,将低温扩散退火后的铜包铝坯料进行减面率为7.5%的小变形量控制拉伸,得到大截面导电铜包铝排成品。

上述的实施例仅例示性说明本发明创造的原理及其功效,以及部分运用的实施例,而非用于限制本发明;应当指出,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明创造构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。

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