[发明专利]一种控制先驱体晶粒度制备FeS2薄膜的方法无效
| 申请号： | 201210006606.7 | 申请日： | 2012-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN102560374A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 孟亮;王峰;汪牡丹 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 控制 先驱 晶粒 制备 fes sub 薄膜 方法 | ||
1.一种控制先驱体晶粒度制备FeS2薄膜的方法，其特征在于该方法的步骤如下：
1）在饱和铬酸溶液中煮沸后用去离子水冲洗镀膜基底；
2）再依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中超声波振荡清洗，烘干；
3）将镀膜基底置于磁控溅射设备中，采用不同温度加热镀膜基底；
4）在镀膜基底上溅射纯Fe膜，通过调整溅射功率和时间溅射控制纯Fe膜厚度后保温；
5）将溅射得到的纯Fe膜和纯硫粉封装于玻璃管中；
6）封装后的纯Fe膜经硫化处理形成FeS2薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种控制先驱体晶粒度制备FeS2薄膜的方法，其特征在于：步骤1）中所述的镀膜基底面积为26×76mm2的全透明载玻片。
3.根据权利要求1所述的一种控制先驱体晶粒度制备FeS2薄膜的方法，其特征在于：步骤3）中所述的镀膜基底加热温度为200～500℃。
4.根据权利要求1所述的一种控制先驱体晶粒度制备FeS2薄膜的方法，其特征在于：步骤4）中所述的溅射控制纯Fe膜厚度为0.25～0.3μm。
5.根据权利要求1所述的一种控制先驱体晶粒度制备FeS2薄膜的方法，其特征在于：步骤5）中所述的封装于玻璃管中纯硫粉质量按照在400℃能够产生80kPa的额定硫压计算。
6.根据权利要求1所述的一种控制先驱体晶粒度制备FeS2薄膜的方法，其特征在于：步骤6）中所述的纯Fe膜经硫化处理的硫化温度为400～500℃，硫化时间为10～40h。
7.根据权利要求1所述的一种控制先驱体晶粒度制备FeS2薄膜的方法，其特征在于：从步骤1）至步骤4）所述的得到的纯Fe膜的晶粒尺寸范围在30～55nm。
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