[发明专利]基于Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法无效
| 申请号： | 201210007340.8 | 申请日： | 2012-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN102530936A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 郭辉;吕晋军;张玉明;张克基;邓鹏飞;雷天民 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 cl sub 反应 sic 衬底 制备 石墨 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法，其特征在于，制备方法包括以下步骤：
(1)对SiC样片进行清洗，以去除表面污染物；
(2)将清洗后的SiC样片置于石英管中，加热至700-1100℃；
(3)向石英管中通入Ar气和Cl2气的混合气体，持续时间3-8min，使Cl2与3C-SiC反应生成碳膜；
(4)将生成的碳膜样片置于Ar气中在温度为1000-1200℃下退火10-30min，使碳膜重构成石墨烯。
2.根据权利要求1所述的基于Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法，其特征在于所述步骤(1)对SiC样片进行清洗，是先使用NH4OH+H2O2试剂浸泡SiC样片10分钟，取出后烘干，以去除样片表面有机残余物；再使用HCl+H2O2试剂浸泡样片10分钟，取出后烘干，以去除离子污染物。
3.根据权利要求1所述的基于Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法，其特征在于步骤(3)所述通入的Ar气和Cl2气，其流速分别为95-98sccm和5-2sccm。
4.根据权利要求1所述的基于Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法，其特征在于所述步骤(4)退火时Ar气的流速为25-100sccm。
5.根据权利要求1所述的基于Cl2反应的SiC衬底上制备石墨烯的方法，其特征在于所述SiC样片的晶型采用4H-SiC或6H-SiC。
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