[发明专利]一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201210007603.5 | 申请日： | 2012-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN103205805A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 饶志鹏;夏洋;万军;李超波;陈波;刘键;江莹冰;石莎莉;李勇滔 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/38;C30B29/64 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 立方 氮化 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；
(2)向所述原子层沉积设备反应腔中通入碳源气体，所述碳源气体作为第一反应前驱体在硅衬底表面进行碳化学吸附，所述碳源气体中的碳原子吸附在所述硅衬底上；
(3)所述吸附在硅衬底上的碳原子与电离后的第二反应前驱体在氢气的辅助下发生反应，产生相应的产物，直到所述硅衬底表面的碳原子完全消耗；
(4)重复步骤(2)和(3)，即可在所述衬底表面形成单晶立方形氮化碳薄膜。
2.如权利要求1所述的单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)之前还包括：所述硅衬底的表面经过标准液和氢氟酸处理，在所述硅衬底的表面形成硅氢键。
3.如权利要求1所述的单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中的碳源气体为四氯化碳，所述四氯化碳通过和所述硅衬底表面反应而进行碳化学吸附。
4.如权利要求3所述的单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中的第二反应前驱体为氮气，所述氮气电离后的氮气分子与氢气形成氮氢离子，与所述四氯化碳中的氯原子发生反应，使得所述四氯化碳中除碳以外的其他官能团被氮原子取代。
5.如权利要求1所述的单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)和步骤(3)之前分别包括：向原子层沉积设备反应腔通入清洗气体清洗腔室。
6.如权利要求5所述的单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法，其特征在于，所述清洗气体为氮气。
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