[发明专利]用于半导体激光器列阵的热膨胀系数可调节焊料有效
| 申请号： | 201210007630.2 | 申请日： | 2012-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN103205710A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 程东明 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/35;C23C14/58;C22C1/00 |
| 代理公司： | 郑州中原专利事务所有限公司 41109 | 代理人： | 霍彦伟 |
| 地址： | 450001 *** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 半导体激光器 列阵 热膨胀 系数 调节 焊料 | ||
【权利要求书】：
1. 一种用于半导体激光器列阵的热膨胀系数可调节焊料，其特征在于是按照下述步骤进行的：
A、在热沉上制作锡层、在锡层上镀金层、在金层上镀上负膨胀层，其中金、锡、负膨胀层材料的质量比依次为4:1:0.5~1；
B、将步骤A中得到的材料在50~100℃退火1~15分钟。
2. 根据权利要求1所述的用于半导体激光器列阵的热膨胀系数可调节焊料，其特征在于是按照下述方法制备的：在步骤A中得到的负膨胀材料上依次镀上锡层、金层和负膨胀层，重复这个过程直至得到相应厚度的焊料，再进行步骤B。
3. 根据权利要求1~2之一所述的用于半导体激光器列阵的热膨胀系数可调节焊料，其特征在于：所述金、锡、负膨胀材料的质量比依次为4:1:1。
4. 根据权利要求1~2之一所述的用于半导体激光器列阵的热膨胀系数可调节焊料，其特征在于：所述锡层、金层采用热蒸发或磁控溅射方法制备，所述负膨胀层采用磁控溅射方法制备。
5. 根据权利要求1~2之一所述的用于半导体激光器列阵的热膨胀系数可调节焊料，其特征在于：所述负膨胀层采用的负膨胀材料是NiTi基合金或者FeNiCo合金。
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