[发明专利]在3C-SiC衬底上制备石墨烯的方法无效
| 申请号： | 201210007685.3 | 申请日： | 2012-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN102560414A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 郭辉;吕晋军;张玉明;张克基;邓鹏飞;雷天民 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;C30B25/02;C30B25/18;C30B29/02 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 衬底 制备 石墨 方法 | ||
1.一种在3C-SiC衬底上制备石墨烯的方法，包括以下步骤：
(1)对4-12英寸的Si衬底基片进行标准清洗；
(2)将清洗后的Si衬底基片放入CVD系统反应室中，对反应室抽真空达到10-7mbar级别；
(3)在H2保护的情况下逐步升温至碳化温度950℃-1150℃，通入流量为30ml/min的C3H8，对衬底进行碳化3-7min，生长一层碳化层；
(4)迅速升温至生长温度1150℃-1300℃，通入C3H8和SiH4，进行3C-SiC异质外延薄膜的生长，时间为36-60min，然后在H2保护下逐步降温至室温，完成3C-SiC外延薄膜的生长；
(5)将生长好的3C-SiC样片置于石英管中，加热至800-1000℃；
(6)加热CCl4至60-80℃，利用Ar气携带CCl4蒸汽进入石英管中与3C-SiC反应，生成双层碳膜，Ar气流速为50-80ml/min，反应时间为30-120min；
(7)反应结束后，将生成的双层碳膜样片置于Ar气中在温度为1000-1100℃下退火10-20分钟，重构成双层石墨烯。
2.根据权利要求1所述的在3C-SiC衬底上制备石墨烯的方法，其特征在于步骤(4)所述通入的SiH4和C3H8，其流量分别为15-25ml/min和30-50ml/min。
3.根据权利要求1所述的在3C-SiC衬底上制备石墨烯的方法，其特征在于所述步骤(7)退火时Ar气的流速为25-100ml/min。
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