[发明专利]一种提高磁体矫顽力的装置和方法

权利要求书

1.一种提高磁体矫顽力的装置，其特征在于，包含：

(i)真空室，所述真空室用于放置待提高矫顽力的磁铁；

(ii)离子轰击系统，所述离子轰击系统产生离子并使所述离子轰击所述待提高矫顽力的磁铁。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述真空室包含一转盘，其中，所述转盘下安装有一个大齿轮，转盘上安装有用于放置磁体的一个或多个托盘，且所述托盘下安装一个小齿轮。

3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述真空室的侧面安装有手动机械手。

4.一种提高磁体矫顽力的方法，其特征在于，包括步骤：

(1)提供一磁体；

(2)在真空条件下，对待提高矫顽力的磁体的至少一个主表面进行离子轰击，从而提高所述磁体的矫顽力。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)是在如权利要求1-3中任一所述的装置中，将磁体置于所述装置的真空室中，对磁体的两个主表面进行离子轰击，从而提高磁体的矫顽力。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述离子轰击的离子加速电压范围为0.5-10kV。

7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述离子轰击的离子选自下组：氩离子、氦离子、氮离子、或氧离子。

8.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述离子轰击的时间为5-120分钟；较佳地为5-60分钟；更佳地为5-30分钟。

9.如权利要求4所述的方法，其特征在于，进行离子轰击时，所述真空条件是真空度为3×10^-3-5×10^-4Pa。

10.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤(1)的磁体选自下组：钕铁硼永磁体或钐钴磁体。

11.如权利要求4所述的方法，其特征在于，包括步骤：

(a)提供一磁体；

(b)在权利要求1-3中任一所述的装置中，将磁体置于所述装置的真空室中，将其真空度降低至预定值(如3×10^-3-5×10^-4Pa)后，对磁体的第一主表面进行离子轰击，得到第一主表面经离子轰击的磁体，从而提高磁体的矫顽力；

(c)任选地，采用手动机械手翻转步骤(b)得到的第一主表面经离子轰击的磁体后，对磁体的第二主表面进行离子轰击，得到第二主表面经离子轰击的磁体，从而进一步提高磁体的矫顽力。