[发明专利]具有接合焊盘和屏蔽结构的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

器件衬底，具有对应于所述半导体器件的正面和所述半导体器件的背面的正面和背面；

金属部件，形成在所述器件衬底的所述正面上；

接合焊盘，被设置在所述半导体器件的所述背面上，并且与所述金属部件电连通；以及

屏蔽结构，被设置在所述器件衬底的所述背面上，其中，所述屏蔽结构和所述接合焊盘具有彼此不同的厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

辐射感应区域，被设置在所述器件衬底中，所述辐射感应区域用于感测出从所述器件衬底的所述背面发射到所述辐射感应区域的辐射；

第一钝化层，被设置在所述半导体器件的所述正面上；

载体衬底，接合到所述第一钝化层；

第一缓冲层，被设置在所述器件衬底的所述背面上；以及

第二钝化层，被设置在所述器件衬底的所述背面上。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，进一步包括：

第二缓冲层，被设置在所述器件衬底的所述背面上，其中，所述第二缓冲层插入在所述第一缓冲层和所述第二钝化层之间。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述接合焊盘厚于所述屏蔽结构，或者

其中，所述接合焊盘和所述屏蔽结构所包含的材料选自由铝、铜、铝铜、钛、钽、氮化钛、氮化钽、以及钨构成的组，或者

其中，所述屏蔽结构和所述接合焊盘包含不同的材料。

5.一种半导体器件，包括：

衬底，具有接合区域和非接合区域，并且具有对应于所述半导体器件的正面和所述半导体器件的背面的正面和背面；

金属部件，被设置在所述衬底的所述正面上；

第一导电材料，被设置在所述接合区域中的所述半导体器件的所述背面上的沟槽内，其中，所述第一导电材料与所述金属部件电连通，并且其中，所述第一导电材料具有第一厚度；以及

第二导电材料，被设置在所述非接合区域中的所述衬底的所述背面上，其中，所述第二导电材料具有第二厚度，并且其中，所述第一厚度与所述第二厚度不同。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述半导体器件包括背面照明图像传感器件，或者

进一步包括：

钝化层，被设置在所述衬底的所述正面上，其中，所述钝化层所包含的材料选自由氧化硅和氮化硅构成的组，或者

进一步包括：辐射感应区域，位于所述非接合区域中，并且具有至少一个图像传感器，或者

其中，所述第一导电材料和所述第二导材料所包含的材料均选自由铝、铜、铝铜、钛、钽、氮化钛、氮化钽、以及钨构成的组，或者

其中，所述第一导电材料和所述第二导电材料包括不同的材料。

7.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供器件衬底，所述器件衬底具有对应于所述半导体器件的正面和所述半导体器件的背面的正面和背面；

在所述器件衬底的所述正面上形成金属部件；

在所述半导体器件的所述背面上形成暴露出所述金属部件的沟槽；

在与所述金属部件电连通的所述沟槽中形成接合焊盘；

在所述器件衬底的所述背面上形成金属屏蔽结构，其中，所述金属屏蔽结构的厚度小于所述接合焊盘的金属层的厚度。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在形成所述金属屏蔽结构之前形成所述接合焊盘，或者

其中，在形成所述金属屏蔽结构之后形成所述接合焊盘，或者

进一步包括：

在所述器件衬底的所述正面上形成传感器，所述传感器用于感测出发射到所述半导体器件的所述背面的辐射，

进一步包括：

在所述传感器上方形成滤色器；以及

在所述滤色器和所述传感器上方形成微透镜。

9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

在所述器件衬底的所述正面上形成第一钝化层；以及

在所述器件衬底的所述背面上形成缓冲层，其中，所述金属屏蔽结构形成在所述缓冲层上方。

10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括：

在形成所述缓冲层之前，将载体衬底接合到所述器件衬底的所述正面，或者

进一步包括：

在所述器件衬底的所述背面上形成第二钝化层，其中，所述第二钝化层覆盖了所述接合焊盘和所述金属屏蔽结构；以及

蚀刻所述第二钝化层，从而暴露出所述接合焊盘。