[发明专利]半导体装置和用于制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体基板，具有从半导体基板的第一表面向半导体基板的第二表面延伸的通孔；

电极焊盘层，被设置在半导体基板的第二表面上，所述电极焊盘层充当所述通孔的底部；

绝缘层，被设置在半导体基板的第一表面上和在所述通孔的侧壁上；以及

金属层，被设置在所述绝缘层上和在所述通孔的底部上，

其中，所述通孔的侧壁具有倾斜表面，使得所述通孔的底部具有比所述通孔的开口端的开口尺寸小的开口尺寸，并且，所述倾斜表面具有凹凸部。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述凹凸部具有0.2μm或更大且10μm或更小的平均高度Rc。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述通孔的侧壁具有第一垂直表面和第二垂直表面，第一垂直表面被设置为相对于所述倾斜表面靠近所述通孔的底部，第二垂直表面被设置为相对于所述倾斜表面靠近所述通孔的开口端。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，第一垂直表面的长度等于半导体基板的厚度的1/50～1/4。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述通孔在第一垂直表面处的开口尺寸为所述通孔在第二垂直表面处的开口尺寸的1/2～9/10。

6.一种用于制造半导体装置的方法，包括：

在半导体基板的第一表面上形成掩模层，所述掩模层具有面向被设置在半导体基板的第二表面上的电极焊盘层的开口；

在半导体基板中形成从所述掩模层的开口向电极焊盘层延伸的通孔，其中，所述通孔的侧壁具有带凹凸部的倾斜表面，使得所述通孔的底部具有比所述通孔的开口端的开口尺寸小的开口尺寸，并且，通过交替地执行蚀刻和沉积的BOSCH方法来形成所述倾斜表面；

在半导体基板的第一表面上和所述通孔的侧壁上形成绝缘层；以及

通过物理气相沉积，在半导体基板的第一表面的顶部和在所述通孔的内部形成金属层。

7.根据权利要求6所述的用于制造半导体装置的方法，其中，通过随着蚀刻在所述通孔的深度方向上进行而逐渐地降低蚀刻速率，在所述通孔的侧壁上形成所述倾斜表面，使得所述通孔的底部具有小于所述开口端的开口尺寸的开口尺寸，并且，通过使用保护膜的残留物作为掩模进行蚀刻而在所述倾斜表面上形成凹凸部，所述保护膜是通过沉积而在所述倾斜表面上形成的。

8.根据权利要求6所述的用于制造半导体装置的方法，其中，通过随着蚀刻在所述通孔的深度方向上进行而逐步地降低蚀刻速率，在所述通孔的侧壁上形成带凹凸部的倾斜表面，使得所述通孔的底部具有比所述开口端的开口尺寸小的开口尺寸。

9.根据权利要求6所述的用于制造半导体装置的方法，其中，在半导体基板的第一表面上形成灰色调掩模，在与所述掩模层的开口对应的部分中，所述灰色调掩模具有比所述掩模层的开口小的开口，然后，通过BOSCH方法形成到达所述电极焊盘层的通孔，由此在与所述灰色调掩模对应的通孔的侧壁上形成带凹凸部的倾斜表面。