[发明专利]太阳电池和半导体器件以及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳电池的制造方法，包括以下步骤：

在衬底上形成第一电极层；

在所述第一电极层上形成非晶半导体层；

通过在所述非晶半导体层的顶表面上形成有机材料层来降低所述非晶半导体层的顶表面的润湿性；

在所述有机材料层和所述非晶半导体层中形成到达所述第一电极层的开口；以及

通过以导电膏填充所述开口使得不从所述开口溢出而形成第二电极层。

2.一种太阳电池的制造方法，包括以下步骤：

在衬底上形成第一电极层；

在所述第一电极层上形成光电转换层；

通过在所述光电转换层的顶表面上形成有机材料层来降低所述光电转换层的顶表面的润湿性；

在所述有机材料层和所述光电转换层中形成到达所述第一电极层的开口；以及

通过以导电膏填充所述开口使得不从所述开口溢出而形成第二电极层。

3.一种太阳电池的制造方法，包括以下步骤：

在衬底上形成第一电极层；

在所述第一电极层上形成光电转换层；

通过在所述光电转换层的顶表面上形成有机材料层来降低所述光电转换层的顶表面的润湿性；

在所述有机材料层和所述光电转换层中形成到达所述第一电极层的开口；

通过以导电膏填充所述开口使得不从所述开口溢出而形成第一导电材料的第二电极层；以及

形成在所述有机材料层上并与所述第二电极层电接触的第二导电材料的第三电极，所述第三电极与所述第二电极层分开地形成。

4.根据权利要求3的太阳电池的制造方法，其中所述第二导电材料不同于所述第一导电材料。

5.根据权利要求3的太阳电池的制造方法，其中所述第二电极层通过喷墨法形成，并且所述第三电极通过溅射法形成。

6.一种太阳电池的制造方法，包括以下步骤：

在衬底上形成第一电极层；

在所述第一电极层上形成光电转换层；

在所述光电转换层的顶表面上形成由含碳氟链的有机材料形成的有机材料层从而降低所述光电转换层的顶表面的润湿性；

在所述有机材料层和所述光电转换层中形成到达所述第一电极层的开口；以及

通过以导电膏填充所述开口使得不从所述开口溢出而形成第二电极层。

7.一种太阳电池的制造方法，包括以下步骤：

在衬底上形成第一电极层；

在所述第一电极层上形成光电转换层；

在所述光电转换层的顶表面上形成由含硅烷偶联剂的有机材料形成的有机材料层从而降低所述光电转换层的顶表面的润湿性；

在所述有机材料层和所述光电转换层中形成到达所述第一电极层的开口；以及

通过以导电膏填充所述开口使得不从所述开口溢出而形成第二电极层。

8.根据权利要求7的太阳电池的制造方法，其中所述硅烷偶联剂是含氟烷基团作为R的氟基硅烷偶联剂。

9.根据权利要求1-3和6-7中任一项的太阳电池的制造方法，其中所述衬底由玻璃、不锈钢或高分子材料形成。

10.根据权利要求9的太阳电池的制造方法，其中所述高分子材料是选自聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二酸丁醇酯中的材料。

11.根据权利要求1-3和6-7中任一项的太阳电池的制造方法，其中所述第二电极层比所述开口稍薄。

12.根据权利要求1-3和6-7中任一项的太阳电池的制造方法，其中所述第二电极层比所述开口稍厚。

13.根据权利要求1-3和6-7中任一项的太阳电池的制造方法，还包括以下步骤：

形成到达所述衬底的另一开口；以及

通过以绝缘材料填充所述另一开口使得不从所述另一开口溢出而形成绝缘层。

14.根据权利要求13的太阳电池的制造方法，其中所述绝缘层比所述另一开口稍薄。

15.根据权利要求13的太阳电池的制造方法，其中所述绝缘层比所述另一开口稍厚。