[发明专利]半导体发光装置

说明书

本申请要求于2011年1月12日在韩国知识产权局提交的第10-2011-0003136号韩国专利申请的优先权，该申请的公开通过引用包含于此。

技术领域

本发明涉及一种半导体发光装置。

背景技术

通常，作为一种半导体光源的发光二极管(LED)是这样一种半导体装置，即，当对LED施加电流时，LED能够由于电子和电子空穴在p型半导体和n型半导体之间的结节处的复合产生各种颜色的光。由于与灯丝类光源相比，发光二极管具有诸如长寿命、低功耗、优良的初始驱动特性和高抗震性等各种优点，所以对这类发光二极管的需求已经持续增加。具体地讲，近来能够发射具有短波长的蓝光的第III族氮化物半导体受到关注。

然而，具体地讲，这种发光二极管的局限性在于它的发光效率由于电流在发光层的某一区域中的聚集而劣化。因此，需要一种将半导体发光装置设计成具有高的透光率和导电率的同时具有优良的电流分布效应的方法。

发明内容

本发明的一方面提供了一种具有高的透光率和导电率的同时具有良好的电流分布效应的半导体发光装置。

根据本发明的一方面，提供了一种半导体发光装置，所述半导体发光装置包括：导电基底；p型半导体层，设置在导电基底上；活性层，设置在p型半导体层上；n型半导体层，设置在活性层上；n侧电极，设置在n型半导体层上并包括掺杂有n型杂质的碳纳米管层。

n侧电极还可包括与掺杂有n型杂质的碳纳米管层电连接的欧姆金属层。

欧姆金属层可形成在碳纳米管层的上表面的中心区域中。

欧姆金属层可形成在n型半导体层的上表面的部分区域中，并且碳纳米管层可形成在n型半导体层的上表面的除了形成有欧姆金属层的部分区域之外的区域上。

碳纳米管层的n型杂质包括氧气(O₂)和碱金属中的至少一种。

所述半导体发光装置还可包括设置在n型半导体层和n侧电极之间的透光导电层。

所述半导体发光装置还可包括设置在碳纳米管层上的钝化层。

钝化层可形成为完全覆盖碳纳米管层的上表面。

n侧电极还可包括设置在碳纳米管层上的荧光层。

碳纳米管层可形成为完全覆盖n型半导体层的上表面。

通过沉积在碳纳米管层上的氧化物层，碳纳米管层掺杂有n型杂质。

氧化物层可包括氮(N)、磷(P)、砷(As)、锑(Sb)和铋(Bi)中的至少一种。

根据本发明的另一方面，提供了一种半导体发光装置，所述半导体发光装置包括：n型半导体层；活性层和p型半导体层，顺序形成在n型半导体层上；n侧电极，形成在通过去除p型半导体层和活性层的部分而暴露的p型半导体层上；p侧电极，形成在p型半导体层上，其中，n侧电极还包括掺杂有n型杂质的碳纳米管层。

n侧电极还可包括与掺杂有n型杂质的碳纳米管层电连接的欧姆金属层。

欧姆金属层可形成在掺杂有n型杂质的碳纳米管层的上表面的中心区域中。

欧姆金属层可形成在n型半导体层的上表面的至少一部分区域中，并且碳纳米管层形成在n型半导体层的上表面的除了形成有欧姆金属层的所述至少一部分区域之外的至少一部分区域中。

所述半导体发光装置还可包括设置在n型半导体层和n侧电极之间的透光导电层。

n侧电极还可包括设置在碳纳米管层上的荧光层。

p侧电极可包括掺杂有p型杂质的碳纳米管。

p侧电极还可包括与掺杂有p型杂质的碳纳米管层电连接的欧姆金属层。

欧姆金属层可形成在掺杂有p型杂质的碳纳米管层的上表面的中心区域中。

欧姆金属层可形成在p型半导体层的上表面的至少一部分区域中，并且碳纳米管层可形成在p型半导体层的上表面的除了形成有欧姆金属层的所述至少一部分区域之外的至少一部分区域中。

所述半导体发光装置还可包括设置在p型半导体层和p侧电极之间的透光导电层。

p侧电极还可包括设置在碳纳米管层上的荧光层。

所述半导体发光装置还可包括设置在碳纳米管层上的钝化层。

附图说明

从下面结合附图进行的详细描述中，本发明的以上和其它方面、特征和其它优点将被更清楚地理解，在附图中：

图1A是根据本发明示例性实施例的半导体发光装置的剖视图；

图1B是根据本发明示例性实施例的半导体发光装置的平面图；

图2是根据本发明示例性实施例的半导体发光装置的剖视图；