[发明专利]沉积源和包括沉积源的有机层沉积装置

权利要求书

1.一种沉积源，包括：

第一沉积源和第二沉积源，均沿第一方向设置；

第一沉积源喷嘴单元，位于所述第一沉积源的侧面，并且包括在所述第一方向设置的多个第一沉积源喷嘴；

第二沉积源喷嘴单元，位于所述第二沉积源的侧面，并且包括在所述第一方向设置的多个第二沉积源喷嘴；

一对第一突出反射器，被设置在所述多个第一沉积源喷嘴的相对两侧，其中所述多个第一沉积源喷嘴位于所述第一突出反射器之间；以及

一对第二突出反射器，被设置在所述多个第二沉积源喷嘴的相对两侧，其中所述多个第二沉积源喷嘴位于所述第二突出反射器之间，

其中所述多个第一沉积源喷嘴和所述多个第二沉积源喷嘴朝向彼此倾斜。

2.如权利要求1所述的沉积源，其中从所述第一沉积源排放主体材料，从所述第二沉积源排放掺杂物材料。

3.如权利要求1所述的沉积源，进一步包括第三突出反射器，所述第三突出反射器连接所述第一突出反射器中的一个的一端和所述第一突出反射器中的另一个的一端。

4.如权利要求3所述的沉积源，其中所述第一突出反射器中的一个的所述一端和所述第一突出反射器中的另一个的所述一端均邻近所述第二沉积源。

5.如权利要求1所述的沉积源，进一步包括第四突出反射器，所述第四突出反射器连接所述第二突出反射器中的一个的一端和所述第二突出反射器中的另一个的一端。

6.如权利要求5所述的沉积源，其中所述第二突出反射器中的一个的所述一端和所述第二突出反射器中的另一个的所述一端均邻近所述第一沉积源。

7.如权利要求1所述的沉积源，其中所述第一突出反射器的高度大于或者等于所述第一沉积源喷嘴的高度。

8.如权利要求1所述的沉积源，其中所述第二突出反射器的高度大于或者等于所述第二沉积源喷嘴的高度。

9.如权利要求1所述的沉积源，其中在所述多个第一沉积源喷嘴之中最靠近所述第二沉积源的沉积源喷嘴是虚拟喷嘴，并且所述虚拟喷嘴中没有孔，以使得所述第一沉积源中包含的沉积材料不能够通过所述虚拟喷嘴排放。

10.如权利要求1所述的沉积源，其中在所述多个第二沉积源喷嘴之中最靠近所述第一沉积源的沉积源喷嘴是虚拟喷嘴，并且所述虚拟喷嘴中没有孔，以使得所述第二沉积源中包含的沉积材料不能够通过所述虚拟喷嘴排放。

11.一种有机层沉积装置，用于在衬底上形成薄膜，所述装置包括：

沉积源，用于排放沉积材料；

沉积源喷嘴单元，位于所述沉积源的侧面，并且包括在第一方向设置的多个沉积源喷嘴；以及

图案化缝隙片，位于所述沉积源喷嘴单元的对面，并且具有在与所述第一方向垂直的第二方向设置的多个图案化缝隙，

其中所述衬底能够在所述第一方向相对于所述有机层沉积装置移动以用于执行沉积，

其中所述沉积源包括第一沉积源和第二沉积源，以用于排放不同的材料，并且

其中所述沉积源喷嘴单元包括：

第一沉积源喷嘴单元，位于所述第一沉积源的侧面，并且包括在所述第一方向设置的多个第一沉积源喷嘴；以及

第二沉积源喷嘴单元，位于所述第二沉积源的侧面，并且包括在所述第一方向设置的多个第二沉积源喷嘴，

其中所述多个第一沉积源喷嘴和所述多个第二沉积源喷嘴倾斜预定的角度。

12.如权利要求11所述的装置，其中从所述第一沉积源排放主体材料，从所述第二沉积源排放掺杂物材料。

13.如权利要求11所述的装置，其中所述第一沉积源和所述第二沉积源均沿所述第一方向设置。

14.如权利要求11所述的装置，其中所述第一沉积源喷嘴单元进一步包括设置在所述多个第一沉积源喷嘴的相对两侧的第一突出反射器和第二突出反射器，其中所述多个第一沉积源喷嘴位于所述第一突出反射器与所述第二突出反射器之间。

15.如权利要求14所述的装置，进一步包括第三突出反射器，所述第三突出反射器连接所述第一突出反射器的一端和所述第二突出反射器的一端。

16.如权利要求15所述的装置，其中所述第一突出反射器的所述一端和所述第二突出反射器的所述一端均邻近所述第二沉积源。