[发明专利]超薄型片式陶瓷正温度系数热敏电阻及其制造方法

权利要求书

1.一种超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻，以传统钛酸钡陶瓷PTC薄膜为中间基体，两端或者两面涂覆电极，电阻率和居里温度里与传统PTC热敏电阻相同，其特征在于：尺寸以mm计，为 (3.10～3.13) *（1.58～1.61）*0.50±0.01。

2.根据权利要求1所述的超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻的制备方法，传统钛酸钡陶瓷PTC薄膜为中间基体进行配料、制成PTC粉料，其特征在于：将所述PTC粉料制成有成膜性的浆料，将浆料流延成膜、烧结制成芯材，芯材二面涂覆电极，其中，该浆料由PTC粉料40 ～50%、溶剂30～40%、粘合剂13～23%、余量为其他助剂组成。

3.根据权利要求2所述的超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻的制备方法，其特征在于：

所述的常规PTC粉料为Ba、Ti、Mn、Sr、Pb或Ca金属氧化物中的一种或多种的混合物。

4.根据权利要求2所述的超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻的制备方法，其特征在于：所述的有机溶剂材料为乙醇、正丁醇、异丁醇、松油醇、醋酸乙酯、醋酸丙酯、丙酮、醋酸中的一种或多种的混合物。

5.根据权利要求2至4之一所述的超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻的制备方法，其特征在于：所述的有成膜性的浆料是按配方称取各组分球磨混合制浆，球料比控制在2:1，以180转/分钟的速率球磨24个小时后出料。

6.根据权利要求5所述的超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻的制备方法，其特征在于，依序按下述步骤：

将所述的有成膜性的浆料在流延设备上流延至不大于1mm的生膜并烘干，将膜切割成不小于单个PCT芯片长宽尺寸的单片薄膜；

单片薄膜经排胶、烧结制成芯片；

在芯片表面涂覆银浆并烧结得超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻。

7.根据权利要求5所述的超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻的制备方法，其特征在于，依序按下述步骤：

将所述的有成膜性的浆料在平板上多次涂覆后成不大于1mm厚度的生膜并烘干，将膜切割成不小于单个PCT芯片长宽尺寸的单片薄膜；

单片薄膜经排胶、烧结制成芯片；

在芯片表面涂覆银浆并烧结得超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻。

8.根据权利要求6或7所述的超薄型陶瓷正温度系数热敏电阻的制备方法，其特征在于，所述生膜厚度0.58～0.62mm。